[发明专利]基板处理装置的控制装置和控制方法

权利要求书

1.一种基板处理装置的控制装置，用于控制对基板实施规定处理的基板处理装置，其特征在于，包括：

存储部，存储表示不同的处理顺序的多个工艺方案和作为对基板实施所述规定处理时的控制值的规定目标值；

通信部，使测定器测定按照所述存储部中存储的多个工艺方案中的第一工艺方案表示的处理顺序、由所述基板处理装置处理的基板的处理前和处理后的处理状态，并接收所测定的信息；

运算部，根据所述通信部接收的测定信息中的本次处理的基板的处理前和处理后的测定信息，算出与所述本次处理的基板的处理状态相应的反馈值；

更新部，根据所述运算部算出的反馈值，对所述存储部中存储的目标值进行更新；

工艺方案调整部，将表示在与所述基板处理装置同一的基板处理装置中执行的处理顺序的工艺方案，从所述存储部中存储的第一工艺方案变更为第二工艺方案；和

处理执行控制部，继续使用由所述更新部更新的目标值，按照由所述工艺方案调整部变更的第二工艺方案表示的处理顺序，对搬入到所述同一的基板处理装置中的基板进行前馈控制。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

所述存储部存储有多个表示用于执行前馈控制的处理顺序的前馈方案，在各前馈方案中分别包含所述目标值，

所述处理执行控制部具有对所述存储部中存储的多个前馈方案的访问权。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

即使在所述工艺方案调整部将表示在所述同一的基板处理装置中执行的处理顺序的工艺方案从所述第一工艺方案变更为所述第二工艺方案时，所述前馈方案也不变更，而选择同一方案，

所述处理执行控制部继续使用所述已选择的同一前馈方案中包含的目标值，对搬入到所述同一的基板处理装置中的基板进行前馈控制。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

所述存储部存储有多个所述目标值，

所述处理执行控制部具有对所述存储部中存储的多个目标值的访问权。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

即使在所述工艺方案调整部将表示在所述同一的基板处理装置中执行的处理顺序的工艺方案从所述第一工艺方案变更为所述第二工艺方案时，所述目标值也不变更，而选择同一目标值，

所述处理执行控制部继续使用所述已选择的同一目标值，对搬入到所述同一的基板处理装置中的基板进行前馈控制。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

所述处理执行控制部根据由所述第二工艺方案表示的处理顺序将所述目标值最优化，使用最优化后的目标值，按照由所述第二工艺方案表示的处理顺序，对搬入到所述基板处理装置中的基板进行前馈控制。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

所述控制装置控制多个所述基板处理装置，

所述存储部与各基板处理装置相关联，对每个基板处理装置分别存储所述目标值，

所述工艺方案调整部在所述存储部中存储的多个目标值中，选择与接着要处理的基板被搬入的基板处理装置相关联且已存储的目标值，

所述处理执行控制部根据所述已选择的目标值，对搬入到所述基板处理装置中的基板进行前馈控制。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

所述接收的测定信息是用于算出基板的临界尺寸(CD)、蚀刻速率、成膜速度中的至少任一个的信息。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

所述目标值是作为处理条件的参数。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

作为所述处理条件的参数是基板的处理时间、压力、功率、所述基板处理装置的规定位置的温度、多种气体的混合比、和气体流量中的至少任一个。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：

所述规定处理是蚀刻处理。