[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：

在晶片的基底上形成掩模层；

移除未被该掩模层覆盖的部分该基底，以在该基底中形成多个浅沟槽；

在该基底上方形成介电层，且该介电层填满该浅沟槽；

进行第一化学机械抛光工艺以移除部分该介电层；

进行第二化学机械抛光工艺，以移除部分该介电层与部分该掩模层，至该介电层的表面低于该掩模层的表面，其中该第二化学机械抛光工艺的研磨速率低于该第一化学机械抛光工艺的研磨速率，且该第二化学机械抛光工艺的该介电层对该掩模层的研磨选择比高于该第一化学机械抛光工艺的该介电层对该掩模层的研磨选择比；以及

移除该掩模层。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其中在形成该掩模层之前，还包括于该基底上形成垫层；且于移除该掩模层之后，还包括移除该垫层。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其中该第一化学机械抛光工艺使用第一研浆，该第二化学机械抛光工艺使用第二研浆，且该第一研浆与该第二研浆不同。

4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其中该第一研浆为氧化铝型研磨粒的研浆。

5.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其中该第二研浆为氧化铈型研磨粒的研浆。

6.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其中该第一化学机械抛光工艺与该第二化学机械抛光工艺所使用的研磨垫相同。

7.一种半导体结构的研磨方法，包括：

提供半导体基底，其上依序已形成第一膜层与第二膜层；

以第一研磨速率，进行第一化学机械抛光工艺，以减小该第二膜层的表面的最高点与最低点之间的高度差值；以及

以第二研磨速率，进行第二化学机械抛光工艺，使该第二膜层的表面低于该第一膜层的表面，

其中该第二研磨速率小于该第一研磨速率，且该第二化学机械抛光工艺的该第二膜层对该第一膜层的研磨选择比高于该第一化学机械抛光工艺的该第二膜层对该第一膜层的研磨选择比。

8.如权利要求7所述的半导体结构的研磨方法，其中该第一化学机械抛光工艺使用第一研浆，该第二化学机械抛光工艺使用第二研浆，且该第一研浆与该第二研浆不同。

9.如权利要求8所述的半导体结构的研磨方法，其中该第一研浆为氧化铝型研磨粒的研浆。

10.如权利要求8所述的半导体结构的研磨方法，其中该第二研浆为氧化铈型研磨粒的研浆。

11.如权利要求8所述的半导体结构的研磨方法，其中该第一化学机械抛光工艺与该第二化学机械抛光工艺所使用的研磨垫相同。

12.如权利要求7所述的半导体结构的研磨方法，其中该第一膜层为氮化硅层。

13.如权利要求7所述的半导体结构的研磨方法，其中该第二膜层为氧化硅层。