[发明专利]液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，具体而言，涉及一种液晶显示装置，其针对于同一衬底上隔着绝缘层而形成的上部电极层与下部电极层，将其中一者分配为共同电极层，另一者分配为像素电极层，且于前述上部电极层中将多个让电场通过的开口部形成为相互平行，并将电压施加于前述上部电极层与下部电极层之间而驱动液晶分子。

背景技术

作为液晶显示装置的显示方法，现有广泛地使用TN(TwistedNematic；扭转向列)方式，但该方式在显示原理上，视角有所限制。作为解决前述问题的方法，已知有在同一衬底上形成像素电极与共同电极，并将电压施加于该像素电极与共同电极之间，令几乎平行于衬底的电场产生，而在大致上平行于衬底面的面内驱动液晶分子的横向电场方式。

横向电场方式已知有IPS(In Plane Switching；水平电场控制)方式与FFS(Fringe Field Switch；边缘电场控制)方式。IPS方式是组合梳状的像素电极与梳状的共同电极而配置。FFS方式是针对于同一衬底上隔着绝缘层而形成的上部电极层与下部电极层，将其中一者分配为共同电极层，另一者分配为像素电极层，且于上部电极层中形成例如狭缝(slit)等作为让电场通过的开口部。

该横向电场方式的液晶显示装置的穿透率与驱动电压之间的关系与TN方式等完全不同，针对其穿透率的改善已有一些提案。

例如，于专利文件1叙述在IPS方式的液晶显示装置中设成具有高穿透率及高开口率的构成，像素电极的细条(strip)宽度形成比对向电极的细条间的距离狭小，且像素电极的细条与对向电极的细条之间的距离比晶胞间隙(cell gap)少，还叙述有对向电极的细条的宽度与像素电极细条的宽度形成为使两电极的上部的液晶分子全部都能因形成于前述细条之间的抛物线电场而动作。

专利文件1：日本特开平11-202356号公报

发明内容

(发明所欲解决的课题)

如上所述，于专利文件1针对IPS方式的显示质量做叙述，但并无法直接适用于FFS方式的显示质量。即，FFS方式是在像素电极与共同电极之中，只有于最表面侧的电极形成狭缝构造或梳状的电极构造，其最表面层的狭缝构造或梳状电极构造的电极，与具有同一电位的电极隔着开口部而配置的IPS方式并不相同。因此，最表面侧的电极的开口部与电极部的配置关系，即电极部的导电体部分的宽度L、开口部的短轴宽度S等与显示质量的关系，与IPS方式不同。

本发明的目的在于提供在FFS方式中具有能够提升显示质量的电极构造的液晶显示装置。

(解决课题的手段)

本发明针对FFS方式的液晶显示装置，将令最表面侧的上部电极的电极宽度L与开口部的短轴宽度S变化时的显示质量以模拟与实验来确认，求取用于最佳显示质量的条件，据此而研创。而用以实现该结果的手段如下所述。

即，本发明的液晶显示装置具备有于同一衬底上隔着绝缘层而形成的上部电极层与下部电极层，且于前述上部电极层中将多个让电场通过的开口部形成为相互平行，并将电压施加于前述上部电极层与前述下部电极层之间而驱动液晶分子，该液晶显示装置的特征为：前述开口部的短轴宽度为，在使作为电压-穿透率关系的V-T曲线不会因为前述短轴宽度变化而产生偏移的范围的值。

此外，本发明的液晶显示装置具备有于同一衬底上隔着绝缘层而形成的上部电极层与下部电极层，且于前述上部电极层将多个让电场通过的开口部形成为互相平行，并将电压施加于前述上部电极层与前述下部电极层之间而驱动液晶分子，该液晶显示装置的特征为：令电极宽度即邻接的前述开口部之间的距离为L，令前述开口部的短轴宽度为S，当L+S为10μm以下时，L为2.5μm以上，且前述开口部的短轴宽度S为4.0μm以上。

此外，在本发明的液晶显示装置中，前述开口部较宜为以封闭形状形成开口的狭缝开口部。此外，在本发明的液晶显示装置中，前述多个开口部也可为开口的一边端相互连接的梳状开口部。此外，在本发明的液晶显示装置中，前述上部电极层也可为共同电极层。此外，在本发明的液晶显示装置中，前述上部电极层也可为像素电极层。

(发明的效果)

依据本发明的液晶显示装置，通过采用前述构成的电极构造，便能够提升FFS方式的显示质量。

附图说明

图1是显示在本发明的实施方式中，以上部电极为共同电极并设置狭缝的FFS方式的液晶显示装置的显示区域的一个显示像素份的平面构成的图。

图2是沿图1的A-A线的剖面图。