[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在透光衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层；

将所述栅电极层用作掩模，且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层而选择性地聚合所述有机层；

通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分，形成有机聚合层；

在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成包括水解基的有机硅烷膜；

通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极层及漏电极层；以及

在所述栅电极层、所述源电极层、以及所述漏电极层上形成半导体层。

2.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在透光衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层；

将所述栅电极层用作掩模，且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层而选择性地聚合所述有机层；

通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分，形成有机聚合层；

在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成包括第一水解基的第一有机硅烷膜；

通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极层及漏电极层；

去除所述第一有机硅烷膜；

在所述栅电极层、所述源电极层、以及所述漏电极层上形成具有第二水解基的第二有机硅烷膜；以及

在所述第二有机硅烷膜上形成半导体层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中使用十八烷基三甲氧基硅烷形成所述第二有机硅烷膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成电连接到所述源电极层或所述漏电极层的显示元件。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中形成电连接到所述源电极层或所述漏电极层的显示元件。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中使用有机半导体材料形成所述半导体层。

7.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中使用有机半导体材料形成所述半导体层。

8.一种半导体装置，包括：

透光衬底上的栅电极层；

所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的不重叠于所述栅电极层的区域的有机聚合层；

所述有机聚合层上的源电极层及漏电极层；以及

所述栅绝缘层、所述源电极层、以及所述漏电极层上的半导体层。

9.一种半导体装置，包括：

透光衬底上的栅电极层；

所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的不重叠于所述栅电极层的区域的有机聚合层；

所述有机聚合层上的源电极层及漏电极层；以及

所述栅绝缘层上的半导体层，其中间夹着具有水解基的有机硅烷膜。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述具有水解基的有机硅烷膜是十八烷基三甲氧基硅烷膜。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，

还包括电连接到所述源电极层或所述漏电极层的显示元件。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，

还包括电连接到所述源电极层或所述漏电极层的显示元件。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述半导体层是有机半导体层。

14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述半导体层是有机半导体层。