[发明专利]振荡电路及具有该振荡电路的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

电压控制振荡电路，具有第一电压端子、第二电压端子和输出时钟信号的输出端子；

控制电路，电连接在所述第一电压端子和所述第二电压端子之间，且使所述第一电压端子和所述控制电路的控制端子之间的电位差为恒定；

第一晶体管，具有：

与所述电压控制振荡电路的输入端子电连接的第一栅电极；

与所述第二电压端子电连接的第一源区；以及

与所述第一栅电极电连接的第一漏区；以及

第二晶体管，具有：

与所述控制电路的控制端子电连接的第二栅电极；

与所述第一电压端子电连接的第二源区；以及

与所述第一漏区电连接的第二漏区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

电连接在所述第一栅电极和所述第一源区之间的电容器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一晶体管和所述第二晶体管是形成于具有绝缘表面的衬底上的薄膜晶体管。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

发送和接收信号的天线电路；以及

利用所述信号在所述第一电压端子和所述第二电压端子之间生成电源电压的整流电路。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

接收所述时钟信号和数据信号的逻辑电路；

接收来自所述逻辑电路的数据信号的存储控制电路；以及

受所述存储控制电路控制的存储电路。

6.一种半导体器件，包括：

电压控制振荡电路，具有输入电压端子、基准电压端子和输出时钟信号的输出端子；

控制电路，电连接在所述输入电压端子和所述基准电压端子之间，且使所述输入电压端子和所述控制电路的控制端子之间的电位差为恒定；

n沟道型晶体管，具有：

与所述电压控制振荡电路的输入端子电连接的第一栅电极；

与所述基准电压端子电连接的第一源区；以及

与所述第一栅电极电连接的第一漏区；以及

p沟道型晶体管，具有：

与所述控制电路的控制端子电连接的第二栅电极；

与所述输入电压端子电连接的第二源区；以及

与所述第一漏区电连接的第二漏区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

电连接在所述第一栅电极和所述第一源区之间的电容器。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述n沟道型晶体管和所述p沟道型晶体管是形成于具有绝缘表面的衬底上的薄膜晶体管。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

发送和接收信号的天线电路；以及

利用所述信号在所述输入电压端子和所述基准电压端子之间生成电源电压的整流电路。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

接收所述时钟信号和数据信号的逻辑电路；

接收来自所述逻辑电路的数据信号的存储控制电路；以及

受所述存储控制电路控制的存储电路。

11.一种半导体器件，包括：

电压控制振荡电路，具有输入电压端子、基准电压端子和输出时钟信号的输出端子；

控制电路，电连接在所述输入电压端子和所述基准电压端子之间，且使所述基准电压端子和所述控制电路的控制端子之间的电位差为恒定；

p沟道型晶体管，具有：

与所述电压控制振荡电路的输入端子电连接的第一栅电极；

与所述输入电压端子电连接的第一源区；以及

与所述第一栅电极电连接的第一漏区；以及

n沟道型晶体管，具有：

与所述控制电路的控制端子电连接的第二栅电极；

与所述基准电压端子电连接的第二源区；以及

与所述第一漏区电连接的第二漏区。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

电连接在所述第一栅电极和所述第一源区之间的电容器。