[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

隔离结构位于基底中，在该基底中定义出第一有源区与第二有源区与位于其彼此之间的沟道有源区，其彼此之间以该隔离结构相隔开；

场注入区位于该第一有源区、该第二有源区以及该沟道有源区周围的部分该隔离结构下方，其中该沟道有源区具有界定其沟道宽度的二第一边缘，各该第一边缘与其相邻的该场注入区的第二边缘相隔一间距d1，且各该第一有源区与各该第二有源区的第三边缘与该场注入区的该第二边缘延伸线之间具有最短的距离为d2，R＝d1/d2，其中0.15≤R≤0.85；

栅极结构覆盖该沟道有源区并延伸至部分该隔离结构上方；以及

二源极/漏极掺杂区分别位于该第一有源区与该第二有源区中。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中0.26≤R≤0.52。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该场注入区所注入的掺杂剂的导电型与该源极/漏极掺杂区者相不同。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体元件包括P型金属氧化物半导体元件。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该P型金属氧化物半导体元件包括P型高压元件。

6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该场注入区所注入的掺杂剂为N型。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体元件包括N型金属氧化物半导体元件。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该N型金属氧化物半导体元件包括N型高压元件。

9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该场注入区所注入的掺杂剂为P型。

10.如权利要求1所述的半导体元件，其中该场注入区围绕于该第一有源区、该第二有源区以及该沟道有源区周围的部分该隔离结构下方。

11.如权利要求1所述的半导体元件，其中位于该场注入区之内的该隔离结构包括：

第一隔离结构，环绕于该第一有源区周围；

第二隔离结构，环绕于该第二有源区周围；以及

第三隔离结构，位于该沟道有源区的该第一边缘周围。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一隔离结构与该第二隔离结构突出于该沟道有源区。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一隔离结构以及该第二隔离结构与该沟道有源区共边界。

14.如权利要求11所述的半导体元件，其中该沟道有源区突出于该第一隔离结构与该第二隔离结构。

15.如权利要求14所述的半导体元件，其中该第三隔离结构包覆突出于该第一隔离结构与该第二隔离结构的该沟道有源区的边缘。

16.如权利要求1所述的半导体元件，其中该隔离结构包括浅沟槽隔离结构。

17.如权利要求1所述的半导体元件，其中该隔离结构包括场氧化层。