[发明专利]结晶硅太阳能电池的快速氢钝化的方法

权利要求书

1.一种结晶硅太阳能电池的氢钝化的方法，包括：

(a)将结晶硅太阳能电池晶片置入真空腔体中，该结晶硅太阳能电池晶片的表面具有电极及抗反射层；

(b)供应氢气流到该真空腔体至预定压力；

(c)传送射频或微波功率到该真空腔体内产生氢气等离子体；以及

(d)通过一个脉冲产生器提供预定的电压大小、脉冲频率与脉冲时间宽度的负脉冲电压到该结晶硅太阳能电池晶片，并于处理时间注入足量的氢离子到该结晶硅太阳能电池晶片内，其中该负脉冲电压被控制在设定范围内，以免破坏该抗反射层。

2.如权利要求1所述的结晶硅太阳能电池的氢钝化的方法，其中该负脉冲电压是在-500V和-5kV之间。

3.如权利要求1所述的结晶硅太阳能电池的氢钝化的方法，其中供应该负脉冲电压的时间是在1μsec与20μsec之间。

4.如权利要求1所述的结晶硅太阳能电池的氢钝化的方法，其中该脉冲频率是在100Hz与20kHz之间。

5.如权利要求1所述的结晶硅太阳能电池的氢钝化的方法，其中该处理时间是在1分钟与10分钟之间。

6.如权利要求1所述的结晶硅太阳能电池的氢钝化的方法，其中在步骤d期间，包括加热该结晶硅太阳能电池晶片至300℃～350℃的温度。