[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200710185123.7 申请日: 2007-10-30
公开(公告)号: CN101174658A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/068
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅 太阳能电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种单晶硅太阳能电池的制造方法,是用以制造出在透明绝缘性基板上配置有作为光变换层的单晶硅层的单晶硅太阳能电池的方法,其特征为至少包含:

准备透明绝缘性基板与第一导电型的单晶硅基板的工序;

将氢离子或稀有气体离子的至少一种,注入该单晶硅基板,来形成离子注入层的工序;

以该离子注入面作为贴合面,经由透明导电性粘结剂,粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;

固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜,并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;

对该离子注入层施予冲击,机械地剥离该单晶硅基板,来形成单晶硅层的工序;

在该单晶硅层,形成与该第一导电型相异的导电型即第二导电型的扩散层,来形成pn结的工序;以及

于该单晶硅层上形成电极的工序。

2.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法,其中,该透明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的任一种。

3.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法,其中,该透明导电性粘结剂含有氧化钛、氧化锌、氧化锡、以及氧化铟中的至少一种,并含有施体形成用添加材料。

4.如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池的制造方法,其中,该透明导电性粘结剂含有氧化钛、氧化锌、氧化锡、以及氧化铟中的至少一种,并含有施体形成用添加材料。

5.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法,其中,该透明导电性粘结剂含有硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

6.如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池的制造方法,其中,该透明导电性粘结剂含有硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

7.如权利要求3所述的单晶硅太阳能电池的制造方法,其中,该透明导电性粘结剂含有硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

8.如权利要求4所述的单晶硅太阳能电池的制造方法,其中,该透明导电性粘结剂含有硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

9.如权利要求1~8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法,其中,该离子注入的深度为距离子注入面0.1μm以上、5μm以下。

10.一种单晶硅太阳能电池,是根据权利要求1~8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法制造而成。

11.一种单晶硅太阳能电池,是根据权利要求9所述的单晶硅太阳能电池的制造方法制造而成。

12.如权利要求10所述的单晶硅太阳能电池,其中,该单晶硅太阳能电池可从一侧面透视另一侧面。

13.如权利要求11所述的单晶硅太阳能电池,其中,该单晶硅太阳能电池可从一侧面透视另一侧面。

14.一种单晶硅太阳能电池,是至少依次积层透明绝缘性基板、透明导电性膜、形成pn结的单晶硅层、以及电极而成。

15.如权利要求14所述的单晶硅太阳能电池,其中,该透明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的任一种。

16.如权利要求14所述的单晶硅太阳能电池,其中,该透明导电性膜含有氧化钛、氧化锌、氧化锡、以及氧化铟中的至少一种,并含有施体形成用添加材料。

17.如权利要求15所述的单晶硅太阳能电池,其中,该透明导电性膜含有氧化钛、氧化锌、氧化锡、以及氧化铟中的至少一种,并含有施体形成用添加材料。

18.如权利要求14所述的单晶硅太阳能电池,其中,该透明导电性膜含有硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

19.如权利要求15所述的单晶硅太阳能电池,其中,该透明导电性膜含有硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。

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