[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池

权利要求书

1.一种单晶硅太阳能电池的制造方法，是用以制造出在透明绝缘性基板上配置有作为光变换层的单晶硅层的单晶硅太阳能电池的方法，其特征为至少包含：

准备透明绝缘性基板与第一导电型的单晶硅基板的工序；

将氢离子或稀有气体离子中的至少一种，注入该单晶硅基板，来形成离子注入层的工序；

对该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的至少一个表面之中的至少一方，进行表面活化处理的工序；

以该进行表面活化处理后的面作为贴合面，来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序；

对该离子注入层施予冲击，机械地剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；

在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个与该第一导电型相异的导电型即第二导电型的扩散区域，至少在面方向上形成多个pn结，并制成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；

在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个第一个别电极，而在该多个第二导电型区域上，分别形成多个第二个别电极的工序；以及

形成用以连结该多个第一个别电极的第一集电电极与用以连结该多个第二个别电极的第二集电电极的工序。

2.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，该表面活化处理，是等离子体处理或臭氧处理中的至少一种。

3.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，该透明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的任一种。

4.如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，该透明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的任一种。

5.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，该离子注入的深度为距离子注入面0.1μm以上、5μm以下。

6.如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，该离子注入的深度为距离子注入面0.1μm以上、5μm以下。

7.如权利要求3所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，该离子注入的深度为距离子注入面0.1μm以上、5μm以下。

8.如权利要求4所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，该离子注入的深度为距离子注入面0.1μm以上、5μm以下。

9.一种单晶硅太阳能电池，是根据权利要求1～8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法制造而成。

10.如权利要求9所述的单晶硅太阳能电池，其中，该单晶硅太阳能电池可从一侧面透视另一侧面。

11.一种单晶硅太阳能电池，其特征为：

是至少积层透明绝缘性基板与单晶硅层；该单晶硅层，在该透明绝缘性基板侧的面的相反侧的面，形成多个第一导电型区域和第二导电型区域，至少在面方向上，形成多个pn结；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个第一个别电极；在该多个第二导电型区域上，分别形成多个第二个别电极；并形成有用以连结该多个第一个别电极的第一集电电极以及用以连结该多个第二个别电极的第二集电电极。

12.如权利要求11所述的单晶硅太阳能电池，其中，该透明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的任一种。

13.如权利要求11所述的单晶硅太阳能电池，其中，该单晶硅层的膜厚为0.1μm以上、5μm以下。

14.如权利要求12所述的单晶硅太阳能电池，其中，该单晶硅层的膜厚为0.1μm以上、5μm以下。

15.如权利要求11～14中任一项所述的单晶硅太阳能电池，其中，该单晶硅太阳能电池可从一侧面透视另一侧面。