[发明专利]测量像素中的电荷的高动态范围图像传感器、方法和介质无效
申请号: | 200710185192.8 | 申请日: | 2007-11-12 |
公开(公告)号: | CN101184175A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 曹宇钟;李性德;崔相彦;崔文哲;宋炫澈 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N17/00;G01R31/265 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;冯敏 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 像素 中的 电荷 动态 范围 图像传感器 方法 介质 | ||
1.一种高动态范围图像传感器包括:
传感器,当像素达到饱和级别时重新设置该像素;
存储单元,存储该像素已经被重新设置的次数;和
测量单元,使用该像素已经被重新设置的次数,即重新设置的次数以及在该像素被最后重新设置之后剩余的电荷量来测量在该像素中接收的光通量。
2.如权利要求1所述的高动态范围图像传感器,其中,传感器使用触发器感测该像素是否达到饱和级别。
3.如权利要求2所述的高动态范围图像传感器,其中,触发器被连接到该像素的光电二极管的输出端口。
4.如权利要求1所述的高动态范围图像传感器,其中,存储单元使用flip-flop、RAM和计数器中的至少一个来存储重新设置的次数。
5.如权利要求4所述的高动态范围图像传感器,其中,当新帧开始时,清除存储单元中存储的重新设置的次数。
6.如权利要求1所述的高动态范围图像传感器,其中:
存储单元包括电容器、晶体管和比较器中的至少一个,
当该像素达到饱和级别时,电容器被完全充电,并且比较器消除由于电容器的延迟放电引起的错误。
7.如权利要求1所述的高动态范围图像传感器,其中,测量单元在一帧的持续时间期间测量在该像素中接收的光通量。
8.一种测量像素中的电荷的方法,该方法包括:
当该像素达到饱和级别时重新设置该像素;
存储该像素已经被重新设置的次数;和
使用该像素已经被重新设置的次数以及在该像素被最后重新设置之后剩余的电荷量来测量在该像素中接收的光通量。
9.如权利要求8所述的方法,其中,重新设置该像素的步骤还包括:使用触发器感测该像素是否达到饱和级别。
10.如权利要求9所述的方法,其中,触发器被连接到该像素的光电二极管的输出端口。
11.如权利要求8所述的方法,其中,存储该像素已经被重新设置的次数的步骤包括:使用flip-flop、RAM和计数器中的至少一个来存储该像素被重新设置的次数。
12.如权利要求11所述的方法,其中,当新帧开始时,清除存储单元中存储的该像素被重新设置的次数。
13.如权利要求8所述的方法,其中,
存储该像素被重新设置的次数的步骤包括:使用电容器、晶体管和比较器中的至少一个存储像素被重新设置的次数,
当该像素达到饱和级别时,电容器被完全充电,并且消除由于电容器的延迟放电引起的错误。
14.如权利要求8所述的方法,其中,测量在该像素中接收的光通量的步骤包括:在一帧的持续时间期间测量在该像素中接收的光通量。
15.存储控制至少一个处理器实施权利要求8的方法的计算机可读指令的至少一个计算机可读介质。
16.一种高动态范围图像传感器包括:
具有像素的图像传感器,接收光通量,并且当该像素达到饱和级别时,重新设置该像素;和
测量单元,使用该像素已经被重新设置的次数以及该像素被最后重新设置之后剩余的电荷量测量在该像素中接收的光通量。
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