[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

伴随近年来高度信息化社会的真正的进展或多媒体系统(multimedia system)的急剧普及，液晶显示装置(LCD：Liquid CrystalDisplay)或有机EL显示装置(EL：Electro Luminescence(电致发光))等的重要性日益增大。作为这些显示装置的像素的驱动方式，广泛地采用排列成阵列(array)状的、使用了薄膜晶体管(TFT：Thin FilmTransistor)的有源矩阵(active matrix)方式。

特别是，液晶显示装置是有代表性的薄型面板(panel)之一，功耗低，容易做到小型轻量化。因此，被广泛地用于个人计算机(personalcomputer)的监视器(monitor)或便携式信息终端设备的监视器等。另外，近年来，这种液晶显示装置作为TV的用途正在代替现有的阴极射线管(cathode-ray tube)式显示装置。

一般而言，TFT是通过在玻璃(glass)等绝缘衬底上形成岛状的硅膜，在岛状硅膜上形成栅极绝缘膜和栅电极而被制造。而且，在形成TFT的电路的同时，还形成电容器电极。在专利文献1中，公布了夹持绝缘膜并由下部的辅助电容层与上部的金属电极形成电容器。

作为TFT，多采用使用了半导体膜的MOS结构。MOS结构有逆向交错型(inversely staggered)或顶栅(top-gate)型等种类。半导体膜有非晶硅薄膜或多晶硅薄膜。可按液晶显示装置的用途或性能适当地选择这些硅薄膜。小型面板的TFT多使用多晶硅薄膜。使用了多晶硅薄膜的TFT的迁移率高。因此，在该TFT用作像素开关(switching)元件的情况下，TFT的小型化和面板的高精细化成为可能。另外，也可将使用了多晶硅薄膜的TFT应用于驱动像素开关元件的外围电路部。

另一方面，为了减少TFT阵列衬底的制造成本(cost)，研讨了掩模(mask)工序数的减少。因此，为了使半导体薄膜、栅电极或信号线与上层的像素电极进行电连接，采用在形成在它们之间的绝缘膜中在一次的工序中形成接触孔的制造方法。由此，最上层的像素电极经接触孔与半导体薄膜或各导电膜连接。

这样，半导体薄膜与由ITO等透明导电膜构成的像素电极电连接。但是，若使半导体薄膜与ITO直接接触，则表现出非欧姆(ohmic)性接触且为高电阻接触(contact)。因此，研讨了在半导体薄膜上设置Mo、Cr、W、Ti等接触金属膜的结构。在该结构中，从ITO供给的电位一旦被接触金属膜接收，就从该接触金属膜向半导体薄膜供给。

参照图6和图7，说明现有的显示装置。图6是作为现有的显示装置的一部分的电容器的平面图。图7是作为现有的显示装置的一部分的电容器的剖面图，是图6中的沿C-C’线的剖面图。如图6和图7所示，在现有的显示装置中，首先，在绝缘衬底等衬底1上形成氮化硅膜2和氧化硅膜3，作为基底膜。在氧化硅膜3上的预定位置形成半导体薄膜14。进而，在半导体薄膜14上形成接触金属膜5。在接触金属膜5/半导体薄膜14上形成栅极绝缘膜6，用以覆盖它们。然后，在栅极绝缘膜6上的与接触金属膜5对置的位置处，形成栅极金属电极7。利用半导体薄膜14和在半导体薄膜14上所形成的接触金属膜5形成电容器的一个电极。栅极金属电极7与位于其下部的电容器电极对置配置。然后，在栅极金属电极7与下部的电容器电极之间配置栅极绝缘膜6。

此时，栅极金属电极7以完全覆盖接触金属膜5/半导体薄膜14的电容器电极的方式形成。即，在现有的显示装置中，作为电容器的一个电极的接触金属膜5/半导体薄膜14在俯视图中与作为电容器的另一电极的栅极金属电极7相比配置在内侧并被覆盖。因此，在接触金属膜5/半导体薄膜14端部的栅极绝缘膜6的台阶覆盖(stepcoverage)恶化，造成栅绝缘耐压的降低。由此，现有的显示装置的可靠性和成品率均差。

[专利文献1]特开2002-311453号公报

这样，在现有的显示装置中，存在栅极绝缘膜的接触金属膜/半导体薄膜端部的台阶覆盖差、栅绝缘耐压低的问题。

发明内容

本发明是为了解决这样的问题而进行的，其目的在于提供一种高成品率且可靠性高的显示装置及其制造方法。