[发明专利]驻极体电容传声器及其制造方法

权利要求书

1.一种驻极体电容传声器的制造方法，该驻极体电容传声器包括：设有驻极体的第一电极、在它与所述第一电极之间夹有空隙且与所述第一电极对置的第二电极，其特征在于：

该驻极体电容传声器的制造方法包括：

工序a，对所述空隙的内部进行脱气处理，以及

工序b，在所述工序a之后至少对所述空隙的内部进行拒水化处理。

2.根据权利要求1所述的驻极体电容传声器的制造方法，其特征在于：

在所述工序b中，在六甲基二硅氨烷气体环境下进行加热处理。

3.根据权利要求1或者2所述的驻极体电容传声器的制造方法，其特征在于：

在所述工序a中，或仅进行真空处理，或仅进行烘烤处理，或进行真空处理与烘烤处理这两种处理。

4.一种一体形成型驻极体电容传声器，其包括：设有驻极体且能够振动的第一电极、在它与所述第一电极之间夹有空隙且与所述第一电极对置的第二电极，其特征在于：

所述第一电极与所述第二电极各自的表面中至少面向所述空隙的部位被以硅烷基终结的氮氧化硅膜覆盖。

5.根据权利要求4所述的一体形成型驻极体电容传声器，其特征在于：

所述硅烷基是Si(CH₃)₃基。

6.一种一体形成型驻极体电容传声器的制造方法，该驻极体电容传声器包括：设有驻极体且能够振动的第一电极、在它与所述第一电极之间夹有空隙且与所述第一电极对置的第二电极，而且，所述第一电极与所述第二电极各自的表面中至少面向所述空隙的部位被氮化硅膜覆，其特征在于：

该一体形成型驻极体电容传声器的制造方法包括：

工序a，对所述空隙的内部进行脱气处理；

工序b，在所述工序a之后至少将所述氮化硅膜的表面氧化来形成氮氧化硅膜；以及

工序c，在所述工序b之后至少对所述氮氧化硅膜的表面进行硅烷基取代处理。

7.根据权利要求6所述的一体形成型驻极体电容传声器的制造方法，其特征在于：

在所述工序b中进行等离子氧化处理。

8.根据权利要求6或者7所述的一体形成型驻极体电容传声器的制造方法，其特征在于：

在所述工序c中，在六甲基二硅氨烷气体环境下进行加热处理。

9.根据权利要求6或者7所述的一体形成型驻极体电容传声器的制造方法，其特征在于：

在所述工序a中，或仅进行真空处理，或仅进行烘烤处理，或进行真空处理与烘烤处理这两种处理。