[发明专利]LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 200710186132.8 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101471406A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 谢雪峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市方大国科光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚;张秋红 |
| 地址： | 518055广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种LED芯片，其特征在于，ICP刻蚀后的芯片周围所有侧面向内倾斜，呈倒台形。
2、LED芯片的制备方法，包括以下步骤：
(1)、在蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构外延片；
(2)、GaN外延片在氮气气氛中高温退火；
(3)、用溶剂将GaN外延片表面清洗干净；
(4)、在GaN外延片上光刻出图形；
(5)、在光刻后的GaN外延片上蒸镀Cr/Ni掩膜层；
(6)、用溶剂将光刻胶去除干净；
其特征在于，接着用ICP将外延片刻蚀到n-GaN层，并使刻蚀后的芯片周围所有侧面向内倾斜，呈倒台形，其中ICP刻蚀条件为ICP功率为1500W-2000W、RF功率为20W-50W、腔体压力为40-80mTorr、刻蚀气体流量比Cl2：Cl3＝3～6：1.
3、如权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，ICP刻蚀条件为ICP功率为1500W-1800W、RF功率为40W-50W、腔体压力为60-80mTorr、刻蚀气体流量比Cl2：Cl3＝4～6：1。
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