[发明专利]半导体微机电结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：先在一硅基衬底的上表面制备一内具微机电结构的绝缘电路层，而后在所述绝缘电路层的上表面朝外依次制作一牺牲层及一阻挡层，接着在所述硅基衬底的下背面制作一层蚀刻阻挡层，刻蚀所述刻蚀阻挡层形成刻蚀阻挡层的开口，并从所述硅基衬底的下背面进行硅基衬底蚀刻形成相应所述微机电结构的空间，再自所述空间依序由下而上进行蚀刻到达阻挡层，使微机电结构悬浮。

2.按照权利要求1所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：在完成所述绝缘电路层的制备后，磨薄所述硅基衬底，所述硅基衬底的下背面的刻蚀为深反应离子蚀刻或湿蚀刻。

3.按照权利要求1所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：所述硅基衬底的下背面蚀刻阻挡层的开口相应所述微机电结构的位置，并令硅基衬底的下背面的空间到达该绝缘电路层。

4.按照权利要求1所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：所述绝缘电路层的刻蚀采用离子蚀刻工艺进行定向蚀刻，且到达所述牺牲层；所述牺牲层则进行等向性蚀刻。

5.按照权利要求1所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：在绝缘电路层的上表面开设多个孔洞，所述孔洞相应于预设的微机电结构；且所述绝缘电路层上的牺牲层未覆盖于孔洞上；在所述牺牲层上制作导体阻挡层，且所述导体阻挡层外侧与所述绝缘电路层接触，而所述导体阻挡层进入所述绝缘电路层的孔洞内与微机电结构电性连通，所述导体阻挡层在牺牲层蚀刻去除后，形成预设至少二个微机电结构的电性连通。

6.按照权利要求5所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：所述导体阻挡层采用任一种金属材料。

7.一种半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：先在一硅基衬底上表面制备一内具微机电结构的绝缘电路层，在绝缘电路层上表面由内而外依序制作一储置层、一牺牲层及一阻挡层；

接着在硅基衬底的下背面制作一层蚀刻阻挡层，刻蚀出蚀刻阻挡层的开口，并从硅基衬底的下背面进行所述硅基衬底蚀刻形成相应该微机电结构的空间；

利用离子蚀刻进行所述绝缘电路层的定向蚀刻，且蚀刻到达所述储置层；

再利用离子蚀刻进行所述储置层的定向蚀刻，相应所述微机电结构保留预设厚度的储置层，且蚀刻到达所述牺牲层；

进行所述牺牲层的等向性蚀刻，使微机电结构处于悬浮状态，且微机电结构上保留预设的储置层，且所述阻挡层密封于所述微机电结构上方。

8.按照权利要求7所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：在完成所述绝缘电路层的制备后，磨薄所述硅基衬底，所述硅基衬底的下背面的刻蚀为深反应离子蚀刻或湿蚀刻。

9.按照权利要求7所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：所述阻挡层为倒盖状，且倒盖状阻挡层外侧与所述储置层接触。

10.按照权利要求7所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：采用深反应离子蚀刻进行所述储置层的定向蚀刻。

11.按照权利要求7所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：

先在硅基衬底定向刻蚀形成相应于所述微机电结构的空间，所述空间未到达该绝缘电路层；

剥离所述刻蚀阻挡层，在硅基衬底的下背面空间内制作底部阻挡层；

藉由底部阻挡层在硅基衬底进行深反应离子蚀刻，且定向蚀刻形成相应所述微机电结构位置的空间，所述空间到达该绝缘电路层；

最后，逐层向上蚀刻后保留预设厚度的悬浮硅基衬底作为微机电结构的厚重基础。

12.按照权利要求9所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：所述储置层具有孔洞，且所述孔洞相应预设的微机电结构位置；在所述储置层上制作的牺牲层充填于所述储置层的孔洞内；且在所述储置层的孔洞内的牺牲层蚀刻去除后，在相应于所述储置层孔洞的微机电结构上方则没有保留的厚重。

13.按照权利要求7所述的半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：所述硅基衬底的下背面蚀刻阻挡层的开口相应所述微机电结构的位置；并从硅基衬底的下背面进行深反应离子蚀刻，且在硅基衬底定向形成相应该微机电结构的空间，所述空间到达所述绝缘电路层。