[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

半导体衬底；

第一导电类型的第一阱区，位于所述半导体衬底中；

含金属层，位于所述第一阱区上，其中所述含金属层与所述第一阱区形成肖特基势垒；

所述第一导电类型的第一重掺杂区，位于所述第一阱区中，其中所述第一重掺杂区水平地与所述含金属层隔开；

虚置栅极介电质，位于所述第一阱区上；以及

虚置栅极，位于所述虚置栅极介电质上，其中所述虚置栅极介电质与所述虚置栅极环绕所述含金属层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，还包含第二阱区，位于所述第一阱区中，所述第二阱区为导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述第二阱区形成环状区而环绕在所述含金属层下的区域，而且第二阱区的内部与所述含金属层的外部重叠。

4.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：

重掺杂接触区，位于所述含金属层下，其中所述重掺杂接触区为导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型，且所述重掺杂接触区是为所述第一阱区所环绕。

5.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

6.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：

第三阱区，位于所述第一阱区中，所述第三阱区是导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

栅极介电质，其自所述第一阱区上延伸至所述第三阱区上；

栅极，位于所述栅极介电质上，其中所述第一重掺杂区与所述第三阱区的一部分是位于所述栅极的相反侧；以及

所述第一导电类型的第二重掺杂区，位于所述第三阱区中、且相邻于所述栅极，其中所述第二重掺杂区电连接于所述含金属层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述含金属层是接地的状态。

8.一种半导体结构，包含：

半导体衬底；

第一支脚，具有：

第一N型阱区，位于所述半导体衬底中；

肖特基二极管，具有含金属层，位于所述第一N型阱区上；及

第一金属氧化物半导体场效应晶体管，具有：

第一漏极区，位于所述第一N型阱区中；

第一P型体，位于所述第一N型阱区中，且所述第一P型体与所述含金属层是位于所述第一漏极区的相反侧；与

第一源极区，位于所述第一P型体中，其中所述第一源极区电连接至所述含金属层；以及

第二支脚，具有：

第二N型阱区；

第二P型体，位于所述第二N型阱区中；

第二金属氧化物半导体场效应晶体管，具有：

第二源极区，位于所述第二P型体中；与

第二漏极区，位于所述第二N型阱区中；及

第三金属氧化物半导体场效应晶体管，具有：

第三源极区，位于所述第二P型体中，其中所述第二源极区与所述第三源极区毗邻着重掺杂P型区，且所述第二源极区与所述第三源极区电连接至所述含金属层；与

第三漏极区，位于所述第二N型阱区中，其中所述第一漏极区、所述第二漏极区、与所述第三漏极区相互连接。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述肖特基二极管还包含：

环状P型区，位于所述第一N型阱区中，其中所述环状P型区环绕所述含金属层下的区域，且所述环状P型区的内部与所述含金属层的外部重叠。

10.如权利要求8所述的半导体结构，还包含：

虚置栅极介电质，位于所述第一N型阱区上；以及

虚置栅极，位于所述虚置栅极介电质上，其中所述虚置栅极介电质与所述虚置栅极形成环状物而环绕所述含金属层，且所述虚置栅极电连接至所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的所述第一源极区。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述肖特基二极管还包含重掺杂接触区，位于所述含金属层下，其中所述重掺杂接触区为P型，且所述重掺杂接触区是为所述第一N型阱区所环绕。