[发明专利]SOQ基板以及SOQ基板的制造方法

权利要求书

1.一种SOQ基板的制造方法，其特征为包括以下步骤：

进行离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；

进行表面处理工艺，此工艺是对石英基板和所述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；

进行贴合工艺，此工艺是将所述石英基板的主面与所述硅基板的主面贴合；

进行剥离工艺，此工艺是在没有加热的情况下，从所贴合基板的所述硅基板机械性地剥离硅薄膜，而在所述石英基板的主面上形成硅膜；以及

以1000℃以下的温度，对所述硅膜进行氢热处理的工艺。

2.如权利要求1所述的SOQ基板的制造方法，其中进行所述氢热处理时的温度范围为800℃以上。

3.如权利要求1所述的SOQ基板的制造方法，其中所述氢热处理的气氛中的氢浓度为0.5％以上。

4.如权利要求2所述的SOQ基板的制造方法，其中所述氢热处理的气氛中的氢浓度为0.5％以上。

5.如权利要求1所述的SOQ基板的制造方法，其中所述活性化处理是利用等离子体处理或臭氧处理至少其中之一来实行的。

6.如权利要求2所述的SOQ基板的制造方法，其中所述活性化处理是利用等离子体处理或臭氧处理至少其中之一来实行的。

7.如权利要求3所述的SOQ基板的制造方法，其中所述活性化处理是利用等离子体处理或臭氧处理至少其中之一来实行的。

8.如权利要求4所述的SOQ基板的制造方法，其中所述活性化处理是利用等离子体处理或臭氧处理至少其中之一来实行的。

9.如权利要求1～8中任一项所述的SOQ基板的制造方法，其中在进行所述贴合工艺的步骤后而在进行所述剥离工艺的步骤前，包括以下步骤：在所述石英基板与所述硅基板贴合的状态下，以350℃以下的温度，进行热处理的工艺。

10.如权利要求1～8中任一项所述的SOQ基板的制造方法，其中在所述硅基板的主面上具有硅氧化膜。

11.如权利要求9所述的SOQ基板的制造方法，其中在所述硅基板的主面上具有硅氧化膜。

12.如权利要求10所述的SOQ基板的制造方法，其中所述硅氧化膜的厚度为0.2μm以上。

13.如权利要求11所述的SOQ基板的制造方法，其中所述硅氧化膜的厚度为0.2μm以上。

14.一种SOQ基板，是利用权利要求1～8中任一项所述的方法制得的SOQ基板，所述硅膜的表面粗度的均方根为0.3nm以下。

15.一种SOQ基板，是利用权利要求9所述的方法制得的SOQ基板，所述硅膜的表面粗度的均方根为0.3nm以下。

16.一种SOQ基板，是利用权利要求10所述的方法制得的SOQ基板，所述硅膜的表面粗度的均方根为0.3nm以下。

17.一种SOQ基板，是利用权利要求11所述的方法制得的SOQ基板，所述硅膜的表面粗度的均方根为0.3nm以下。

18.一种SOQ基板，是利用权利要求12所述的方法制得的SOQ基板，所述硅膜的表面粗度的均方根为0.3nm以下。

19.一种SOQ基板，是利用权利要求13所述的方法制得的SOQ基板，所述硅膜的表面粗度的均方根为0.3nm以下。