[发明专利]流体区域控制装置及其操作方法

权利要求书

1.一种用于电镀的流体区域控制装置，包括有：

至少一基底承载基座，用以承载至少一半导体基底；

至少一阴极电极，设置于该基底承载基座上，用以电连接该半导体基底；

至少一阳极系统，位于该基底承载基座上方，对应于该半导体基底而设置，并且与该基底承载基座相距一反应高度，该阳极系统与该阴极电极之间定义有至少一待处理区域以及至少一非处理区域；

至少一控制流体提供管线，对应于该非处理区域而设置，用于提供至少一控制流体；

至少一控制流体回补管线，对应于该非处理区域而设置，用于回收该控制流体；

至少一工艺流体提供管线，对应于该待处理区域而设置，用于提供至少一电镀流体；以及

至少一工艺流体回补管线，对应于该待处理区域而设置，用于回收该电镀流体。

2.如权利要求1所述的流体区域控制装置，其中该流体区域控制装置是应用于至少一电化学电镀工艺。

3.如权利要求1所述的流体区域控制装置，其中该控制流体是液体状态、气体状态、蒸汽状态或是胶体状态。

4.如权利要求1所述的流体区域控制装置，其中该半导体基底是晶片，该待处理区域是对应至该晶片的晶面，而该非处理区域是对应至该晶片的晶边。

5.一种流体区域控制装置，包括有：

至少一基底承载基座，用以承载至少一半导体基底，该基底承载基座上定义有至少一待处理区域以及至少一非处理区域；

至少一固定组件，设置于该基底承载基座上，用以固定该半导体基底；

至少一控制流体提供管线，对应于该非处理区域而设置，用于提供至少一控制流体；

至少一控制流体回补管线，对应于该非处理区域而设置，用于回收该控制流体；

至少一工艺流体提供管线，对应于该待处理区域而设置，用于提供至少一工艺流体；以及

至少一工艺流体回补管线，对应于该待处理区域而设置，用于回收该工艺流体。

6.如权利要求5所述的流体区域控制装置，其中该流体区域控制装置是应用于至少一溶剂清洗工艺、至少一无电电镀工艺或至少一晶背/晶边清洗工艺。

7.如权利要求5所述的流体区域控制装置，还包括有至少一管线系统，位于该基底承载基座上方，对应于该半导体基底而设置，并且与该基底承载基座相距一反应高度。

8.如权利要求5所述的流体区域控制装置，还包括有至少一抛光系统，位于该基底承载基座上方，对应于该半导体基底而设置。

9.如权利要求8所述的流体区域控制装置，其中该抛光系统包括有至少一抛光垫。

10.一种工艺操作设备，包括有：

至少一柱状基台；以及

至少一流体区域控制装置，位于该柱状基台的至少一侧面，该流体区域控制装置包括有：

至少一基底承载基座，平行于该柱状基台的该侧面而设置，用以承载至少一半导体基底；

至少一固定组件，用以固定该半导体基底；

至少一工艺流体提供管线，用于提供至少一工艺流体；

至少一工艺流体回补管线，用于回收该工艺流体；

至少一控制流体提供管线，设置于该半导体基底的周围，用于提供至少一控制流体；以及

至少一控制流体回补管线，设置于该半导体基底的周围，用于回收该控制流体。

11.如权利要求10所述的工艺操作设备，还包括至少一自动工艺控制系统。

12.如权利要求10所述的工艺操作设备，其中该柱状基台是直立式基台。

13.如权利要求10所述的工艺操作设备，其中该柱状基台具有多个侧面。

14.如权利要求10所述的工艺操作设备，还包括有至少一载入/载出装置，位于该柱状基台的至少一侧面，用以将该半导体基底载入/载出该柱状基台。

15.如权利要求14所述的工艺操作设备，其中该载入/载出装置是平行于该柱状基台的该侧面而设置。

16.如权利要求14所述的工艺操作设备，还包括有至少一输送装置，位于该柱状基台周围，用以将该半导体基底传送至该载入/载出装置。