[发明专利]改善表面的方法有效
| 申请号： | 200710186828.0 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101192510A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | W·林 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 表面 方法 | ||
1.一种改善半导体衬底(1、10、11)表面(6)的方法，所述表面(6)至少由部分硅构成，所述方法包括：
沉积步骤，其包括在所述的半导体衬底(1、10、11)表面(6)上的至少一个孔(7、17、37、47)中进行选择外延沉积；
蚀刻步骤，该步骤在沉积步骤前应用于半导体衬底表面(6)上，所述蚀刻步骤包括蚀刻除去半导体衬底(1、10、11)表面(6)上的至少一个缺陷(2)，以形成表面(6)上的至少一个孔(7、17、37、47)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述的沉积步骤包括硅在所 述的孔(7、17、37、47)的至少部分边壁(20、21)上选择性生长。
3.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述的沉积步骤至少进行到至少一个孔(7、17、37、47)用硅堵塞。
4.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述的沉积步骤至少进行到至少一个孔(7、17、37、47)用硅填满。
5.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述的沉积步骤包括用HF-浸渍来蚀刻除去所述的半导体结构(1、10、11)表面(6)上的含有缺陷(2)的氧化物。
6.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述的选择性外延沉积蚀刻剂和含气体的硅被用作源气。
7.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述蚀刻剂是HCl，以及所述的含气体的硅是SiH2Cl2。
8.根据上述权利要求任一项的方法，其中在沉积步骤中硅沉积厚度(t2)至少为表面(6)上的孔(7、17、37、47)的直径(w)的一半。
9.根据上述权利要求任一项的方法，其中在沉积步骤之前，在约650℃对半导体结构(1、10、11)进行H2焙烧。
10.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述的沉积步骤在约750℃下进行。
11.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述的沉积步骤在约20至约80托下进行。
12.根据上述权利要求任一项的方法，其中半导体衬底(1、10、11)表面上的硅的厚度(t1、t2、t1+t2)在所述的沉积步骤之前和/或之后进行缩减。
13.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述的表面(6)包括硅合金。
14.根据上述权利要求任一项的方法，其中所述的表面(6)包括SiGe。
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