[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明有关于一种半导体装置，且特别有关于一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS，Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)装置的结构及其形成方法。

背景技术

横向扩散金属氧化物半导体(Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor，LDMOS)装置已广泛地用于许多种应用类型，例如高电压半导体装置的应用。一般而言，横向扩散金属氧化物半导体装置包括浅掺杂的漏极区，以提升击穿电压(breakdown voltage)。

图1描绘了公知LDMOS装置2和4的剖面图，且LDMOS装置2和4，通过设置源极区6和8于此两装置之间而相互邻接。其中，设置P型重掺杂的主体拾取区(heavily doped p-type bulk pick-up region)10，以分离源极区6和8。另外，漏极区12和各栅极电极16相隔一间距，以增加漏极-栅极电压，且上述源极区6、8和漏极区12均掺杂有N型掺杂物(impurity)。LDMOS可包括多个成对相连的引线(legs)，而图1则描绘上述LDMOS的其中一条引线。一般而言，LDMOS装置2、4的栅极电极16互相连接，且多个漏极区12互相连接。因此，LDMOS装置2和4可作为单独的LDMOS装置。

图2描绘了在图1中所显示之结构的一俯视图。一般而言，栅极电极16具有一长的栅极宽度，用以增加上述LDMOS装置的驱动电流。如图所示，源极区6、源极区8和P型重掺杂主体拾取区10，沿着上述栅极宽度的方向延伸，分别形成三个平行的条状结构。其中，P型重掺杂主体拾取区10与源极区6、8相邻，且将源极区6、8完全分开。图中的四方形结构则是代表接触插塞(contacts)，其用以将金属层中的金属线连接至源极区6、源极区8、P型重掺杂主体拾取区10和漏极区12。

优选地，公知LDMOS装置也可作为静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)装置，同时具有LDMOS装置所需要的功能。然而，公知LDMOS装置的静电放电能力通常比公知ESD装置的静电放电能力差。

因此，需要有一种LDMOS装置的结构及其制造方法，以改善LDMOS装置的静电放电能力。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，提出本发明。

本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基底；栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；源极/漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极/漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及主体拾取区，位于该半导体基底中且邻接该源极区，其中该主体拾取区具有第二导电类型，且该第二导电类型与该源极区的第一导电类型相反，其中该主体拾取区在该栅极宽度方向上具有第二宽度，且该第二宽度实质上小于该第一宽度。

如上所述的半导体装置，其中主体拾取区被该源极区包围。

如上所述的半导体装置，还包括多个接触插塞，其中该多个接触插塞包括第一插塞，连接至该主体拾取区，以及第二插塞，连接至该源极区，且其中所述多个接触插塞在该栅极宽度方向上形成第一列。

如上所述的半导体装置，还包括具有多个插塞的第二列和具有多个插塞的第三列，且该第二列和该第三列设置于该第一列的两侧，其中具有多个接触插塞的该第二列和该第三列连接至该源极区。

如上所述的半导体装置，还包括具有该第二导电类型的外加的主体拾取区，邻接该源极区，且该外加的主体拾取区与该主体拾取区被该源极区的一部分隔开。

如上所述的半导体装置，其中每个该主体拾取区和该外加的主体拾取区均被该源极区包围。

如上所述的半导体装置，其中该主体拾取区具有宽度，该宽度小于该源极区的宽度且大于连接至该主体拾取区的接触插塞的宽度。

如上所述的半导体装置，其中该主体拾取区具有一长度，该长度大于接触插塞的长度且小于该源极区的长度。

如上所述的半导体装置，还包括：外加的源极/漏极区，位于该栅极电极的该源极/漏极区以外的相对侧；外加的栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该源极/漏极区位于该栅极电极和该外加的栅极电极之间，且该栅极电极和该外加的栅极电极电连接。

如上所述的半导体装置，其中该源极/漏极区位于第一阱区内，且该外加的源极/漏极区位于第二阱区内，其中该第二阱区具有与该第一阱区相反的导电类型。