[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，包括：

薄膜晶体管，设置于基板上，包括：

栅极；

绝缘层，设置于该栅极上；

半导体层，设置于该绝缘层上；及

源极与漏极，设置于该半导体层之上；以及

像素电极，设置于该基板上，电性连接于该薄膜晶体管，该像素电极为多晶态金属氧化物。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该半导体层包括半导体沟道层及欧姆接触层。

3.如权利要求1所述的像素结构，其中该薄膜晶体管还包括：氧化金属层，设置于该半导体层及该源极与该漏极之间，该漏极经由该氧化金属层电性连接该像素电极。

4.如权利要求3所述的像素结构，其中该氧化金属层与该像素电极是由同一膜层构成的。

5.如权利要求3所述的像素结构，其中该氧化金属层与该像素电极的材质为铟锡氧化物。

6.如权利要求1所述的像素结构，还包括：保护层，覆盖该薄膜晶体管，该保护层为光致抗蚀剂材料。

7.如权利要求1所述的像素结构，还包括：扫描线，电性连接于该栅极，其中该绝缘层还设置于该扫描线上，且该像素电极部分覆盖该扫描线上的绝缘层，以形成电容。

8.如权利要求1所述的像素结构，还包括：数据线，由金属层以及氧化金属层构成，其中该数据线电性连接于该源极，而该金属层设置于该数据氧化金属层上。

9.如权利要求8所述的像素结构，还包括：保护层，覆盖于该数据线上，该保护层为光致抗蚀剂材料。

10.一种像素结构的制造方法，包括以下步骤：

步骤a，执行第一道光掩模工艺，以在基板上形成图案化第一金属层，该图案化第一金属层包含栅极；

步骤b，执行第二道光掩模工艺，以在该栅极上方形成图案化绝缘层及图案化半导体层，其中该图案化绝缘层位于该图案化第一金属层上，该图案化半导体层位于该图案化绝缘层上；以及

步骤c，执行第三道光掩模工艺，以定义出薄膜晶体管及与该薄膜晶体管耦接的像素电极，并形成覆盖该薄膜晶体管的保护层。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中步骤a包括以下步骤：

在该基板上沉积第一金属材料层；

在该第一金属材料层上形成第一图案光致抗蚀剂层；

以该第一图案光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该第一金属材料层，以形成该图案化第一金属层。

12.如权利要求10所述的制造方法，其中步骤b包括以下步骤：

在该图案化第一金属层上沉积绝缘材料层；

在该绝缘材料层上沉积半导体材料层；

在该半导体材料层上形成第二图案光致抗蚀剂层，该第二图案光致抗蚀剂层具有第一厚度与第二厚度，且该第一厚度大于该第二厚度；

以该第二图案光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该半导体材料层及该绝缘材料层，以形成该图案化绝缘层及该图案化半导体层；

以灰化工艺除去具有该第二厚度的该第二图案光致抗蚀剂层，以露出部分的该图案化半导体层；

蚀刻露出部分的该图案化半导体层；以及

除去剩余的该第二图案光致抗蚀剂层。

13.如权利要求10所述的制造方法，其中该图案化半导体层包括半导体沟道层及位于该半导体沟道层上的欧姆接触层，步骤c包括以下步骤：

在该欧姆接触层上形成氧化金属层；

在该氧化金属层上形成第二金属层；

在该第二金属层上形成第三图案光致抗蚀剂层，该第三图案光致抗蚀剂层具有第三厚度与第四厚度，且该第三厚度大于该第四厚度；

以该第三图案光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该第二金属层及该氧化金属层，以露出部分的该欧姆接触层；以及

蚀刻露出部分的该欧姆接触层。

14.如权利要求13所述的制造方法，其中步骤c还包括以下步骤：

以灰化工艺除去具有该第四厚度的该第三图案化光致抗蚀剂层，以露出部分的该第二金属层；以及

使该剩余的该第三图案光致抗蚀剂层再流动，以形成该保护层。