[发明专利]无铬刻蚀溶液及揭示缺陷的方法和处理衬底的工艺

权利要求书

1.一种刻蚀溶液，包含氢氟酸、硝酸以及乙酸，其中浓度49％的氢氟酸、浓度70％的硝酸以及浓度100％的纯乙酸的体积比为1∶10-20∶8-17。

2.根据权利要求1所述的刻蚀溶液，其中刻蚀溶液由氢氟酸、硝酸以及乙酸构成。

3.根据权利要求1或2所述的刻蚀溶液，其中体积比为1∶15∶10-13。

4.根据权利要求1、2或3所述的刻蚀溶液，其中体积比为1∶15∶11-13。

5.根据权利要求1、2或4所述的刻蚀溶液，其中刻蚀溶液由浓度为49％的氢氟酸水溶液、浓度为70％的硝酸水溶液以及浓度为100％的乙酸按照体积比1∶15∶12组成。

6.一种表征半导体表面缺陷的方法，包括使用根据权利要求1至5中任一项所述的刻蚀溶液处理半导体表面的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中半导体表面为硅衬底、SOI或sSOI衬底、或硅-锗衬底。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中该方法还包括使用氢氟酸对半导体表面的预处理。

9.根据权利要求6、7或8所述的方法，其中该方法还包括使用去离子水漂洗对半导体表面进行后期处理。

10.根据权利要求6、7、8或9所述的方法，还包括对处理后的半导体表面进行视觉评价的步骤。

11.一种刻蚀半导体表面的工艺，包括使用根据权利要求1至5中任一项所述的刻蚀溶液处理半导体表面的步骤。

12.根据权利要求11所述的工艺，其中半导体表面为SOI衬底、sSOI衬底或者硅-锗衬底。

13.根据权利要求11或12所述的工艺，其中该方法还包括使用氢氟酸对硅表面进行预处理。

14.根据权利要求10、12或13所述的工艺，其中该方法还包括使用去离子水漂洗对半导体表面进行后期处理。