[发明专利]催化剂辅助的高K材料的硅酸盐的沉积方法

权利要求书

1.一种高-k硅酸盐沉积方法，顺序地包含：

(a)在腔室中放置至少一个衬底；

(b)将所述至少一个衬底暴露于高-k前驱物；

(c)将所述至少一个衬底暴露于第一催化剂浸泡；

(d)将所述至少一个衬底暴露于第一氧化源；

(e)将所述至少一个衬底暴露于硅前驱物；

(f)将所述至少一个衬底暴露于第二催化剂浸泡；以及然后

(g)将所述至少一个衬底暴露于第二氧化源。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一和第二催化剂浸泡中使用的所述催化剂选自吡啶和氨。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅前驱物选自六氯乙硅烷和四-乙氧基-硅烷。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：

将所述至少一个衬底暴露于净化气体。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高-k前驱物是选自TDMAH、TEMAH、TDEAH和HfCl₄的铪前驱物。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：

重复(b)-(g)步骤一次或多次。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二氧化源选自H₂O、O₃、O₂或氧自由基。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一和第二催化剂浸泡中使用的所述催化剂是相同的。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅前驱物包含六氯乙硅烷并且所述第一和第二催化剂浸泡包含吡啶作为催化剂。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅前驱物包含四-乙氧基-硅烷并且所述第一和第二催化剂浸泡包含氨作为催化剂。

11.一种高-k硅酸盐沉积方法，顺序地包含：

(a)将至少一个衬底放置在腔室中；

(b)将所述至少一个衬底暴露于高-k前驱物；

(c)将所述至少一个衬底暴露于第一氧化源和第一催化剂，所述第一催化剂和第二氧化源经过分离的入口流入所述腔室中；

(d)将所述至少一个衬底暴露于硅前驱物；以及然后

(e)将所述至少一个衬底暴露于第二氧化源和第二催化剂，所述第二催化剂和所述第二氧化源经过分离的入口流入所述腔室中。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一和第二催化剂选自吡啶和氨。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述硅前驱物选自六氯乙硅烷和四-乙氧基-硅烷。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包含：

将所述至少一个衬底暴露于净化气体。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述高-k前驱物是选自TDMAH、TEMAH、TDEAH和HfCl₄的铪前驱物。

16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包含：

重复(b)-(e)步骤一次或多次。

17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一和第二氧化源选自H₂O、O₃、O₂或氧自由基。

18.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述硅前驱物包含六氯乙硅烷并且所述第一和第二催化剂浸泡包含吡啶作为催化剂。

19.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述硅前驱物包含四-乙氧基-硅烷并且所述第一和第二二催化剂浸泡包含氨作为催化剂。

20.一种高-k硅酸盐沉积方法，顺序地包含：

将至少一个衬底放置在腔室中；

将所述至少一个衬底暴露于铪前驱物；

将所述至少一个衬底暴露于水和吡啶，所述水和吡啶经过分离的入口流入所述腔室中。

将所述至少一个衬底暴露于六氯乙硅烷；以及然后

将所述至少一个衬底暴露于水和吡啶，所述水和吡啶经过分离的入口流入所述腔室中。