[发明专利]BJT及其制造方法

权利要求书

1.一种双极晶体管，包括：

在硅衬底表面中的第一导电埋层；

在包括所述第一导电埋层的硅衬底上的外延层；

在所述外延层表面中的基极和发射极区，其中所述基极和发射极区彼此间隔预定的间距；

通过选择性移除所述外延层以部分暴露出所述第一导电埋层表面而形成的开口；

在对应于所述开口的所述第一导电埋层表面中的第一导电扩散区；

形成在所述硅衬底整个表面上的层间介电层；

通过选择性移除所述层间介电层以暴露出所述基极区、所述发射极区和所述第一导电扩散区的表面而形成的接触孔；和

通过所述接触孔分别电连接到所述基极区、所述发射极区和所述第一导电扩散区的基极、发射极和集电极的电极。

2.权利要求1的双极晶体管，其中所述接触孔的宽度比所述开口的宽度更宽。

3.权利要求1的双极晶体管，其中所述接触孔中的集电极电极宽度比所述开口中的集电极电极宽度更宽。

4.一种制造双极晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：

在硅衬底表面中形成第一导电埋层；

在包括所述第一导电埋层的所述硅衬底上形成外延层；

在所述外延层表面中形成基极和发射极区，其中所述基极和发射极区彼此间隔预定的间距；

通过选择性移除所述外延层从而部分暴露出所述第一导电埋层的表面而形成开口；

在对应于所述开口的所述第一导电埋层表面中形成第一导电扩散区；

在所述硅衬底整个表面上形成层间介电层；

通过选择性移除所述层间介电层从而暴露出所述基极区、所述发射极区和所述第一导电扩散区的表面形成接触孔。

5.权利要求4的方法，还包括形成通过所述接触孔分别电连接到所述基极区、所述发射极区和所述第一导电扩散区的基极、发射极和集电极的电极的步骤。

6.权利要求5的方法，其中在所述开口中的集电极电极宽度比在所述接触孔中的集电极电极宽度更窄。

7.权利要求4的方法，其中所述接触孔的宽度比所述开口的宽度更宽。