[发明专利]具有触发元件的存储单元

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

多条成行延伸的字线和多条成列延伸的位线；以及

耦合在字线和位线之间的存储单元，所述存储单元包括通过触发元件有选择地耦合至所述位线的单极存储元件。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述触发元件包括耦合至所述字线的可控硅元件。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述可控硅元件被配置为在将脉冲施加到其栅极上时，经由相应的字线将所述单极存储元件耦合至所述位线，其中，所述脉冲的持续时间小于所述存储单元的存取的持续时间。

4.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述可控硅元件被配置为在将脉冲施加到其栅极上时，经由相应的字线将所述单极存储元件耦合至所述位线，其中，所述脉冲的持续时间等于所述存储单元的存取的持续时间。

5.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述可控硅元件被配置为在将脉冲施加到其栅极上时，经由相应的字线将所述单极存储元件耦合至所述位线，其中，所述脉冲的持续时间大于所述存储单元的存取的持续时间。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述单极存储元件包括阻抗开关存储元件。

7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述阻抗开关存储元件包括相变存储元件。

8.一种存储单元，包括：

与位线相关联的单极存储元件；

触发元件，被配置为有选择地将所述单极存储元件电耦合至所述位线，以对其进行存取。

9.根据权利要求8所述的存储单元，其中，所述触发元件包括可控硅元件，所述可控硅元件具有耦合至与相应的单极存储元件相关联的字线的栅极。

10.根据权利要求9所述的存储单元，其中，所述可控硅元件被配置为在将脉冲施加到其栅极上时，经由相应的字线将所述单极存储元件耦合至所述位线。

11.根据权利要求8所述的存储单元，其中，所述单极存储元件包括阻抗开关存储元件。

12.根据权利要求11所述的存储单元，其中，所述阻抗开关存储元件包括相变存储元件。

13.一种存储装置，包括：

多条成行延伸的字线和多条成列延伸的位线；以及

耦合装置，用于有选择地将单极存储元件电耦合至相应的位线，其中，所述耦合装置在脉冲施加到其上时被激活，以及

其中，所述脉冲的持续时间小于将所述单极存储元件电耦合至所述位线的持续时间。

14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，所述耦合装置包括可控硅元件，所述可控硅元件具有耦合至相应的字线的栅极端，其中，所述脉冲经由所述相应的字线施加给所述栅极端。

15.根据权利要求13所述的存储装置，其中，所述单极存储元件包括阻抗开关存储元件。

16.根据权利要求15所述的存储装置，其中，所述阻抗开关存储元件包括相变存储元件。

17.一种存储装置，包括：

单极存储装置阵列，以多个行和列设置，分别包括字线和位线，其中每个存储装置经由触发装置有选择地电耦合至相应的位线，所述触发装置被配置为通过持续时间小于与其相关的存取持续时间的脉冲激活。

18.根据权利要求17所述的存储装置，其中，所述存储装置包括阻抗开关存储元件，其中，所述触发装置包括可控硅元件。

19.根据权利要求18所述的存储装置，其中，所述可控硅元件包括形成在半导体衬底上的垂直结构，其中，所述阻抗开关存储元件形成在所述垂直可控硅元件之上。

20.根据权利要求19所述的存储装置，其中，所述相应的位线在所述阻抗开关存储元件之上延伸，并电耦合至所述阻抗开关存储元件，以及其中，所述相应的位线围绕并电耦合至所述可控硅元件的栅极端部分。

21.根据权利要求19所述的存储装置，其中，所述相应的位线在所述阻抗开关存储元件之上延伸，并电耦合至所述阻抗开关存储元件，以及其中，所述相应的字线横向邻接并电耦合至所述可控硅元件的栅极端部分。