[发明专利]碳基材料、电子发射源及其制备方法以及电子发射装置

权利要求书

1.一种用于电子发射源的碳基材料，所述碳基材料具有从由h2与h1之比＜1.3和FWHM2与FWHM1之比＞1.2组成的组中选择的至少一种特性，其中，在通过辐射波长为488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束获得的拉曼光谱中，h2表示第二峰的相对强度，第二峰是在1350±20cm^-1的拉曼位移范围内的峰，h1表示第一峰的相对强度，第一峰是在1580±20cm^-1的拉曼位移范围内的峰，FWHM2表示第二峰的半峰全宽，FWHM1表示第一峰的半峰全宽。

2.如权利要求1所述的碳基材料，其中，h2与h1之比小于1.3。

3.如权利要求1所述的碳基材料，其中，FWHM2与FWHM1之比大于1.2。

4.如权利要求1所述的碳基材料，其中，h2与h1之比小于1.3，并且FWHM2与FWHM1之比大于1.2。

5.如权利要求1所述的碳基材料，其中，0.03≤h2与h1之比≤0.56。

6.如权利要求1所述的碳基材料，其中，1.3≤FWHM2与FWHM1之比≤2.0。

7.一种电子发射源，包含：

碳基材料，具有从由h2与h1之比＜1.3和FWHM2与FWHM1之比＞1.2组成的组中选择的至少一种特性，其中，在通过辐射波长为488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束获得的拉曼光谱中，h2表示第二峰的相对强度，第二峰是在1350±20cm^-1的拉曼位移范围内的峰，h1表示第一峰的相对强度，第一峰是在1580±20cm^-1的拉曼位移范围内的峰，FWHM2表示第二峰的半峰全宽，FWHM1表示第一峰的半峰全宽。

8.如权利要求7所述的电子发射源，其中，h2与h1之比小于1.3。

9.如权利要求7所述的电子发射源，其中，FWHM2与FWHM1之比大于1.2。

10.如权利要求7所述的电子发射源，其中，h2与h1之比小于1.3，并且FWHM2与FWHM1之比大于1.2。

11.如权利要求8所述的电子发射源，其中，0.03≤h2与h1之比≤0.56。

12.如权利要求8所述的电子发射源，其中，1.3≤FWHM2与FWHM1之比≤2.0。

13.一种电子发射装置，包括：

基底；

阴极，形成在基底上，阴极具有电子发射源孔；

栅电极，与阴极电绝缘；

绝缘层，置于阴极和栅电极之间，并使阴极与栅电极绝缘；

电子发射源，位于电子发射源孔中并电连接到阴极，电子发射源包含碳基材料，碳基材料具有从由h2与h1之比＜1.3和FWHM2与FWHM1之比＞1.2组成的组中选择的至少一种特性，其中，在通过辐射波长为488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束获得的拉曼光谱中，h2表示第二峰的相对强度，第二峰是在1350±20cm^-1的拉曼位移范围内的峰，h1表示第一峰的相对强度，第一峰是在1580±20cm^-1的拉曼位移范围内的峰，FWHM2表示第二峰的半峰全宽，FWHM1表示第一峰的半峰全宽；

磷光体层，面对电子发射源。

14.如权利要求13所述的电子发射装置，其中，h2与h1之比小于1.3。

15.如权利要求13所述的电子发射装置，其中，FWHM2与FWHM1之比大于1.2。

16.如权利要求13所述的电子发射装置，其中，h2与h1之比小于1.3，并且FWHM2与FWHM1之比大于1.2。

17.如权利要求13所述的电子发射装置，其中，0.03≤h2与h1之比≤0.56。

18.如权利要求13所述的电子发射装置，其中，1.3≤FWHM2与FWHM1之比≤2.0。