[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710187707.8 申请日: 2007-11-20
公开(公告)号: CN101442040A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 李国永;苏炎坤;陈冠群;林俊良 申请(专利权)人: 奇力光电科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488;H01L23/367;H01L23/31;H01L33/00;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿 宁;张华辉
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,其特征在于其至少包括:

一金属基板;

一金属粘着层,设于该金属基板上;

一陶瓷层,设于该金属粘着层上;

至少一发光二极管晶粒,具有相对的一第一侧与一第二侧,其中该至少一发光二极管晶粒的该第一侧嵌设于该陶瓷层的一表面中,且该至少一发光二极管晶粒的底面直接与该陶瓷层接合;

至少一电极垫,设于该陶瓷层的该表面;

至少一导线,对应电性连接在该至少一发光二极管晶粒的该第二侧上的一第一电极与该至少一电极垫之间;以及

一封装胶体,包覆在该至少一发光二极管晶粒、该至少一导线、该至少一电极垫的至少一部分、以及该陶瓷层的该表面的至少一部分上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于其中该金属基板的材料是选自于由铜、铜合金、镍与镍合金所组成的一族群。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于其中该金属粘着层包括一镍层/银层/金层结构。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于其中该陶瓷层的材料是选自于由氮化铝与氧化铝所组成的一族群。

5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于其中该至少一电极垫至少包括依序堆叠在该陶瓷层的该表面上一氧化铝层以及一金属层。

6.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构,其特征在于其中该至少一电极垫是嵌设在该陶瓷层的该表面中,且该金属层不与该陶瓷层接触。

7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于其中该至少一发光二极管晶粒是一水平导通型发光二极管晶粒,且该发光二极管封装结构包括二电极垫与二导线,其中该些电极垫分别通过该些导线而对应电性连接该至少一发光二极管晶粒的该第二侧的该第一电极与一第二电极。

8.一种发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于其至少包括:

提供一暂时基板,其中该暂时基板的一表面上覆设有一高分子聚合物粘贴层;

设置至少一发光二极管晶粒于该高分子聚合物粘贴层中,其中该至少一发光二极管晶粒具有相对的一第一侧与一第二侧,且该至少一发光二极管的该第二侧嵌设于该高分子聚合物粘贴层中;

形成一陶瓷层覆盖在该至少一发光二极管晶粒与该高分子聚合物粘贴层上,以使该至少一发光二极管晶粒的该第一侧嵌设在该陶瓷层的一表面中; 

形成一金属粘着层覆盖在该陶瓷层上; 

电镀一金属基板于该金属粘着层上; 

移除该高分子聚合物粘贴层与该暂时基板; 

设置至少一电极垫于该陶瓷层的该表面; 

形成至少一导线电性连接在该至少一发光二极管晶粒的该第二侧上的一第一电极与该至少一电极垫之间;以及 

形成一封装胶体包覆在该至少一发光二极管晶粒、该至少一导线、该至少一电极垫的至少一部分、以及该陶瓷层的该表面的至少一部分上。 

9.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于其中该高分子聚合物粘贴层是一双面胶带。 

10.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于其中该陶瓷层的材料是选自于由氮化铝与氧化铝所组成的一族群。 

11.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于其中该金属粘着层包括一镍层/银层/金层结构。 

12.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于其中设置该至少一电极垫的步骤至少包括利用至少一粘着层,以对应将该至少一电极垫粘设在该陶瓷层的该表面上。 

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