[发明专利]用于在刻蚀处理中集成计量的方法和装置无效
申请号: | 200710187716.7 | 申请日: | 2007-11-20 |
公开(公告)号: | CN101188192A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 吉姆·K·尼古恩;理查德·莱温顿 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/66;B65G47/90;G05B19/418;G05B19/04 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 刻蚀 处理 集成 计量 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种在多腔室工艺系统中集成计量工具的方法和装置。更具体地,本发明涉及一种用于为刻蚀工艺监控所用的集成计量测量的方法和装置。
背景技术
在微电子器件的制造过程中,通常包含有需要在半导电的、电介质和导电的衬底上执行数百个独立步骤的复杂工艺顺序。这些工艺步骤的实例包括氧化、扩散、离子注入、薄膜沉积、净化、刻蚀和光刻。使用光刻和刻蚀(常称为图案转移步骤),将所需的图案转移至如光刻胶这样的光敏材料层,并随后在后续刻蚀期间将其转移至光敏材料层下面的材料层。在光刻步骤中,覆盖的光刻胶层通过包含图案的掩模版或光掩模暴露于辐射源使图案的图像形成在光刻胶中。通过在适宜的化学溶液中显影光刻胶,其中部分光刻胶被去除,由此形成构图的光刻胶层。使用该光刻胶图案作为掩模,将该掩模下面的材料层暴露于反应性环境中,例如利用湿刻或干刻,以使图案转移至所述掩模下面的材料层。
光掩模上的图案,其一般形成于支撑在玻璃或石英衬底上的含金属层中,也可由经过光刻胶图案刻蚀而产生。然而,在这种情形下,与通过掩模版暴露光刻胶的做法不同,光刻胶图案是通过直接写入技术,例如,使用电子束或其他适合的辐射束来产生的。采用构图的光刻胶作为掩模,使用等离子体刻蚀将该图案转移至所述光刻胶掩模下面的含金属层。可以购买市售的适合在高级器件制造中使用的光掩模刻蚀设备的示例是TetraTM光掩模刻蚀系统,也可从Santa Clara,California(加利福尼亚的圣克拉拉)的Applied Materials,Inc.(应用材料有限公司)购得。
随着器件尺寸的不断减小,用于现代技术的光掩模的设计和制造变得越来越复杂,并且临界尺寸和工艺均匀性的控制变得越来越重要。因此,在光掩模制造中,需要不断地改进对于工艺的监控和控制。
发明内容
本发明的一方面涉及一种包含一具有传送腔室、刻蚀腔室和计量腔室的多腔室系统。在传送腔室中设置有机械手并用于在刻蚀腔室和计量腔室之间传送衬底。机械手包括附接到机械臂的板和附接到该板的叶片。该叶片具有至少一个可调构件,用于改变叶片相对于板的位置,和限定开口的外围部分。外围部分具有用于将衬底支撑在外围部分上方预定高度的支撑构件。
本发明的另一方面涉及一种处理衬底的方法。该方法包括提供包含传送腔室、刻蚀腔室、计量腔室和可操作地连接至该计量腔室的计量工具的多腔室系统。使用设置在传送腔室内的机械手将所处理的衬底传送至计量腔室。使用计量工具在所处理的衬底上执行至少一个光学测量,同时将所处理的衬底在计量腔室内的预定位置支撑在机械手的叶片上。
附图说明
可参照附图中所示的实施方式对以上简要概述的本发明进行更具体的描述。然而,应该注意,附图中只示出了本发明典型的实施例,因此不能认为是对本发明范围的限定,本发明可以涉及其他等同的诸多有效实施例。
图1是描述具有集成的计量腔室的多腔室工艺系统的示意图;
图2是连接至传送腔室的计量腔室的透视示意图;
图3是图2的计量腔室内的衬底的剖视示意图;
图4A-4B是制造过程中,光掩模衬底结构的横截面示意视图;
图5A是适合于本发明的一个实施方式中使用的机械手叶片的示意说明;
图5B是图5A的机械手叶片的局部剖视示意图;
图6说明可使用本发明装置执行的方法。
为了便于理解,尽可能使用相同标记表示附图中共同的相同元件。还可预期一个实施方式的元件可有利地结合在其他实施方式中而不进一步叙述。
具体实施方式
本发明涉及一种用于将计量工具与多腔室工艺系统(或集束设备)集成的方法和装置。通过在集束设备中提供计量能力,可明显地便于对工艺的监控和控制。图1是描述具有围绕传送腔室105设置的多个工艺腔室102、104、106和110的多腔室工艺系统或集束设备100。传送腔室105连接至用于提供降压条件的真空系统(未示出)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造