[发明专利]存储器件,特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件,以及用于制造存储器件的方法

权利要求书

1.一种包括存储单元阵列的集成电路，其中，每个所述存储单元包括开关活性材料块，所述开关活性材料块由围绕非导电纳米线形成的环形接触部所接触。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述环形接触部形成为围绕所述纳米线的隔离件。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述环形接触部的厚度小于10纳米。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述环形接触部的厚度小于2纳米。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述环形接触部的材料是金属。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述环形接触部的材料是氮化钛。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述开关活性材料是相变材料。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述环形接触部的内径等于或小于65纳米。

9.一种具有多个存储单元的集成电路，每个所述存储单元包括开关活性材料块和选择元件以及导电材料的纳米管，所述纳米管形成为环绕非导电材料的纳米线的导电材料层，其中，所述开关活性材料块通过所述纳米管与所述选择元件相耦合，并且其中，所述纳米管的第一环形前端面构成与所述开关活性材料块的接触部。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述纳米管的第二端与另一个导体相耦合。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述纳米管的所述第二端在其内侧与所述选择晶体管的漏极相耦合。

12.根据权利要求9所述的集成电路，其中，在所述纳米管的所述第二端处所述纳米管的外径减小。

13.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述导电材料层形成为围绕所述纳米线的隔离件。

14.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述纳米管的导电材料是氮化钛(TiN)。

15.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述纳米线的非导电材料是本征硅。

16.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述纳米管的内径小于30纳米。

17.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述纳米管的壁厚小于10纳米，优选地小于2纳米。

18.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述纳米管的长度在50纳米至200纳米之间。

19.一种具有在晶圆上形成的多个存储单元的集成电路，其中，原始晶圆的表面作为水平参考平面，并且其中，每个所述存储单元包括：

-开关活性材料块，和

-选择元件，用于从多个所述存储单元中选出一个存储单元，以及

-导电材料的纳米管，用于连接所述开关活性材料块，所述纳米管的转动轴垂直于所述参考平面，所述纳米管形成为环绕非导电材料的纳米线的导电材料层，

其中，所述纳米管的第一端处的环形前端面构成与所述开关活性材料块的接触部。

20.根据权利要求19所述的集成电路，其中，所述纳米管的所述前端面构成所述开关活性材料块的底部电极接触部。

21.根据权利要求19所述的集成电路，其中，所述开关活性材料块通过所述纳米管而耦合至所述选择元件。

22.根据权利要求19所述的集成电路，其中，所述纳米管在与耦合于所述开关活性材料块的那一端相对的一端处在其内侧被接触。

23.根据权利要求19所述的集成电路，其中，所述纳米管的内径小于30纳米。

24.根据权利要求19所述的集成电路，其中，所述纳米管的壁厚小于10纳米，优选地小于2纳米。

25.根据权利要求19所述的集成电路，其中，所述纳米管利用其剩余端与所述选择元件的漏极相耦合。

26.根据权利要求19所述的集成电路，其中，所述纳米管的材料是氮化钛。

27.根据权利要求19所述的集成电路，其中，所述开关活性材料是相变材料。