[发明专利]一种同轴双管二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法

权利要求书

1、一种同轴双管二氧化钛纳米管阵列薄膜，其特征在于该同轴纳米管阵列由以下重量百分比的化学成分组成：

Nb 6.97～9.07％，Mo 2.08～2.25％，Zr 0.35～0.82％，O 48.49～49.35％，其余为Ti和不可避免的杂质。

2、一种制备如权利要求1所述同轴双管二氧化钛纳米管阵列薄膜的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)TLM钛合金薄板在阳极氧化之前，进行以下预处理：机械加工成10～200mm×100～500mm的片状，用150#、600#、1000#砂纸打磨光亮后，依次在乙醇、丙酮中超声除油，用去离子水清洗，70℃～80℃热风烘箱中烘干，待用；所述TLM钛合金薄板为Ti-Zr-Mo-Nb-Sn薄板；

(2)经过预处理的TLM基片进行阳极氧化，所用的电解液为含0.2～1.0wt％NH₄F、0.5～2.0wt％H₂O的乙二醇溶液；

(3)TLM基片为阳极，以铂片为阴极，在磁子搅拌状态下，室温时进行电化学反应，其电极间距离50mm，电压在30～80V，阳极氧化时间4～24小时；

(4)将由阳极氧化制备的纳米管阵列用去离子水多次清洗，置于干燥箱中，70℃～80℃烘干1小时，获得纳米管阵列薄膜；

(5)将步骤(4)获得的纳米管阵列薄膜从基体上取下来，固定在中空的PVC板上，随后将PVC板放置在盛有饱和HF酸的塑料瓶口上，使纳米管阵列的底面处于HF酸气氛中，利用HF气体去除纳米管阵列薄膜背底的阻挡层，即获得双管同轴纳米管阵列膜；

(6)将步骤(5)获得的双管同轴纳米管阵列膜在马弗炉中进行退火处理，控制升降温速率1℃/min，恒温区范围400℃～700℃，恒温120～480分钟。