[发明专利]一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法有效
申请号: | 200710188600.5 | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101255597A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 陈治明 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C30B23/02 | 分类号: | C30B23/02;C30B29/36 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 | 代理人: | 罗笛 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 曲面 籽晶 进行 物理 输运 晶体生长 方法 | ||
【权利要求书】:
1.一种用曲面籽晶进行PVT晶体生长的方法,其特征在于,将圆片籽晶的生长表面设计成曲面,并使晶面倾角θ为6°~10°。
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