[发明专利]氮化物半导体发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括步骤：

在基板上依次沉积第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层和含铟的p型氮化物半导体隧道结层；

在所述基板的温度最高高于沉积所述p型氮化物半导体隧道结层时的所述基板的温度150℃时，在所述p型氮化物半导体隧道结层上沉积氮化物半导体蒸发减少层，所述氮化物半导体蒸发减少层具有大于所述p型氮化物半导体隧道结层的带隙；和

在所述基板的温度高于沉积所述氮化物半导体蒸发减少层时的所述基板的温度时，在所述氮化物蒸发减少层上沉积第二n型氮化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其中在所述p型氮化物半导体隧道结层上沉积n型氮化物半导体隧道结层，以共同形成隧道结，且此后所述氮化物半导体蒸发减少层沉积在所述n型氮化物半导体隧道结层上。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其中所述第二n型氮化物半导体层在所述基板的温度至少为900℃且最多为1000℃时沉积。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其中所述氮化物半导体蒸发减少层至少为5nm厚。