[发明专利]接合材料、接合材料的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 200710188775.6 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101185991A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 池田靖;冈本正英 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | B23K35/22 | 分类号： | B23K35/22;B23K35/40;H01L23/10;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 材料 制造 方法 半导体 装置 | ||
1.一种接合材料，其特征在于：由Al系合金层和设置于上述Al系合金层的最表面的Zn系合金层构成。
2.根据权利要求1所述的接合材料，其特征在于：上述Al系合金层的Al含有率为99～100wt.％。
3.根据权利要求1所述的接合材料，其特征在于：上述Zn系合金层的Zn含有率为90～100wt.％。
4.一种接合材料的制造方法，其特征在于：通过在第一Zn系合金层上层叠Al系合金层，在上述Al系合金层上层叠第二Zn系合金层，然后进行包层压延或加压成形来制造。
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体元件；连接上述半导体元件的框架；一端成为外部端子的引线；连接上述引线的另一端和上述半导体元件的电极的金属线；以及将上述半导体元件及上述金属线进行树脂封装的树脂；
接合上述半导体元件和上述框架的接合材料是由Al系合金层和设置于上述Al系合金层的最表面的Zn系合金层构成的。
6.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体元件；接合上述半导体元件的基板；一端成为外部端子的引线；接合上述引线的另一端与上述半导体元件的电极的金属线；以及将上述半导体元件及上述金属线进行气封并连接在上述基板上的金属罩；
接合上述基板和上述金属罩的接合材料是由Al系合金层和设置于上述Al系合金层的最表面的Zn系合金层构成。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：接合上述半导体元件和上述基板的接合材料是由Al系合金层和设于上述Al系合金层的最表面的Zn系合金层构成。
8.一种半导体装置，其特征在于：具备半导体元件，将上述半导体元件和装该半导体元件的基板进行接合的接合材料是由Al系合金层和设置于上述Al系合金层的最表面的Zn系合金层构成。
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