[发明专利]用于强磁场的核磁共振成像线圈中的高分辨率视觉成像设备无效
申请号: | 200710189887.3 | 申请日: | 2007-11-01 |
公开(公告)号: | CN101281238A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 赵力 | 申请(专利权)人: | 赵力 |
主分类号: | G01R33/28 | 分类号: | G01R33/28;H04N7/18;A61B5/055 |
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地址: | 47100*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 磁场 核磁共振成像 线圈 中的 高分辨率 视觉 成像 设备 | ||
1. 本专利公开了一种可用于强磁场(大于等于1.5Tesla)的MRI线圈中的高分辨率(分辨率大于等于800×600)视觉成像设备。其特征为:
(1)一个能在强磁场(大于等于1.5Tesla)的MRI线圈中正常使用的高分辨率(分辨率大于等于800×600)视觉成像模块。该模块同时也不影响MRI设备的正常运行。现在可见的专利(例如美国专利US Patent:5412419,5432544,5877732,6774929)都是能够在磁腔中正常使用的高分辨率成像设备。位于线圈中的都是光学器件如透镜组或成像光纤。
(2)一个可以在强磁场(大于等于1.5Tesla)中正常运行的图像接受模块。
(3)一个可以在强磁场(大于等于1.5Tesla)的MRI线圈、磁腔中正常使用的连线。
(4)指出图像连接模块的输入线只需普通屏蔽线即可。当然图像连接模块的输入线也可以是光纤传输线。
2. 根据权利要求1公开的成像设备的视觉成像模块的特征为:该成像模块的连接线与线路板必须使用铜等非铁磁性材料,同时线路板必须去除电感器件而代之以等效电路。另外成像模块中的超小屏必须用镀膜玻璃屏蔽产生的电磁辐射;而电路板必须使用铜网等金属网屏蔽产生的电磁辐射。而屏蔽玻璃与屏蔽铜网必须用导电胶或铜箔连接并与超小屏与电路板之间用绝缘胶带绝缘。
3. 根据权利要求1公开的成像设备的图像接收模块的特征为:该接收模块必须使用双层磁屏蔽。其中外层是高饱和的磁屏蔽材料,而内层使用高磁导率的磁屏蔽材料。该双层磁屏蔽由于是金属材料因此也可屏蔽图像接收模块产生的电磁辐射。
4. 根据权利要求1公开的成像设备中连接成像模块与图像接收模块的连线的特征为:该连线必须使用铜等非铁磁性材料,并使用铜网等金属网与铜箔等金属箔屏蔽连线产生的电磁辐射。
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