[发明专利]大面积均匀分布的铜八面体纳米颗粒的制备方法

权利要求书

1、大面积均匀分布的铜纳米八面体的制备方法：其特征是阳极为一个纯度≥99.95％纯铜片，阴极使用的电极是在金属或硅片的正面沉积金膜，电解液是硫酸铜溶液；硫酸铜溶液的浓度为0.08-0.24mol/L；电沉积时调节恒定总电压为10-100mV，电解时间为20-200s；反应后将负载铜纳米的负极用去离子水反复清洗，最后在空气中晾干。

2、由权利要求1所述的大面积均匀分布的铜八面体纳米颗粒的制备方法，其特征是将一定阻值的电阻串联在回路中；在恒压条件下电解，控制总电压在10-100mV。

3、由权利要求1或2所述的大面积均匀分布的铜纳米八面体的制备方法，其特征是阳极的电极为纯铜片，尺寸为30mm×40mm～30mm×20mm；阴极采用的是硅片的正面沉积金膜电极，尺寸均为10mm×10mm～10mm×5mm；正对面积为10mm×5mm，电极间距离为30～50mm，两个电极用铁架台固定；电解液的体积为20-100ml。

4、由权利要求1所述的大面积均匀分布的铜八面体纳米颗粒的制备方法，其特征是通过改变电压、电解液浓度和电解时间控制产物中铜纳米颗粒的形貌、尺寸和分布密度。

5、由权利要求1所述的大面积均匀分布的铜八面体纳米颗粒的制备方法，其特征是先依次用丙酮、乙醇和去离子水对Si(111)片反复清洗，在空气中晾干，然后在精密镀膜机上沉积一定厚度的金膜；以硫酸铜加入去离子水配制成电解液；用金刚石砂纸对阳极铜电极进行抛光，依次用丙酮、乙醇和去离子水清洗，以去除表面的氧化铜杂质；将两个电极插入电解液中并用铁架台固定，正对面积为10mm×5mm，电极间距为40mm；将电阻串连到整个回路中；以恒压模式开始电沉积；反应结束后，将担载铜纳米晶的阴极用去离子水反复清洗，以去除表面附着的CuSO₄晶体，然后在空气中自然晾干。