[发明专利]一种制备ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的方法无效
| 申请号： | 200710191170.2 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101255600A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 贾冲;陈翌庆;忻敏君;苏勇;周汉义 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/62;C30B1/00;C30B30/02 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汪祥虬;何梅生 |
| 地址： | 230009*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 zno 基稀磁 半导体 纳米 阵列 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种制备ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的方法，其特征在于：先在双通绝缘模板的一面采用蒸镀或溅射的方法制备一层导电物质，然后将其浸没在水或M-Zn合金电镀液中，在低于1Pa的压力下抽真空5～60min；然后将抽好真空的模板上有导电物质的一面做阴极，采用石墨或铂做阳极，以0.1～10mA/cm2进行M-Zn合金的电化学共沉积10min～10h；将沉积好的样品在300～600℃的氧气或空气中保温不少于30h，即得到ZnO基稀磁半导体纳米线阵列；所述M-Zn合金中的M＝Fe、Co和/或Ni。
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