[发明专利]一种通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法无效

专利信息
申请号: 200710191824.1 申请日: 2007-12-15
公开(公告)号: CN101194596A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 李杰 申请(专利权)人: 李杰
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;C12N5/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225321江苏省泰州市高港区扬子*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 通过 微茎尖 培养 获得 半夏 脱毒 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法。

背景技术

半夏(P.ternata)是我国特有的一种传统中药材,具有燥湿化痰、降逆止呕、消痞散结之功效。但是根据有关资料检测显示,在我国半夏普遍受到芋花叶病毒(Dasheen mosaic virus,DsMV)和黄瓜花叶病毒(Cucumber mosaic virus,CMV)的侵染,使病毒在植株中大量积累,抑制植株的正常生长,使其种质逐年衰退,从而严重影响了产量及品质的提高。对病毒病的防治,目前缺乏有效的防治药剂。

发明内容

本发明提供了一种通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法,它可以获得品质均一和无病毒侵染的半夏种茎。

本发明采用了以下技术方案:一种通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法,它采用如下步骤:步骤一,取泰半夏块茎,诱导出的营养芽,块茎用清水洗净在相应条件下直接催芽处理;步骤二,切取带芽块茎及珠芽用流水冲洗,然后进行外植体消毒;步骤三,取消毒后的带芽块茎,无菌条件下,在解剖镜下分别剥取茎尖分生组织接种于芽的分化培养基;步骤四,接种后于暗培养7d之后再转入光下进行正常培养。

本发明步骤一中泰半夏块茎的直径为1.0cm。本发明步骤一中的相应条件为温度为28±1℃,相对湿度80%。本发明步骤二中用流水冲洗的时间为60min。步骤二中外植体消毒方法为先用75%酒精处理30s,然后用无菌水冲洗3-4次,0.1%升汞同时滴加Tween-80至终浓度约0.1%,再振摇10min,无菌水冲洗6-8次,最后用10%的H2O2浸泡6min,无菌水冲洗4-5次。本发明步骤二中的分化培养基为以MS为基本的分化培养基,培养条件包括温度、光照,温度为25℃,光照度为200-400lx,每天光照16小时。本发明步骤三中茎尖分生组织的长度为0.2-0.5mm。本发明步骤三中的分化培养基采用MS为基本培养基,添加琼脂8g/L,蔗糖30g/L,调整pH值为5.8,121℃高压灭菌20分钟。本发明步骤三中解剖镜40x。本发明步骤四中正常培养条件为光照强度1500-2000lx,光照为12h/d,温度为25±1℃。

采用了以上技术方案后,通过组织培养脱除侵染半夏的主要病毒,可以获得品质均一、无(未检出)病毒侵染的半夏种茎,这是半夏新的优良品种(系)选育的基础。本发明应用组织培养技术脱毒,既清除植株营养体的病毒,并由已去除病毒的组织再生出无病毒植株,保证植株的正常生长,提高产量及品质,进一步扩大繁殖。

具体实施方式

本发明为一种通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法,它采用如下步骤:步骤一,取直径为1.0cm泰半夏块茎,诱导出的营养芽,块茎用清水洗净在温度为28±1℃,相对湿度80%的条件下直接催芽处理;步骤二,切取带芽块茎及珠芽用流水冲洗60min,进行外植体消毒,外植体消毒方法为先用75%酒精处理30s,然后用无菌水冲洗3-4次,0.1%升汞同时滴加Tween-80至终浓度约0.1%,再振摇10min,无菌水冲洗6-8次,最后用10%H2O2浸泡6min,无菌水冲洗4-5次,步骤二中的分化培养基为以MS为基本的分化培养基,培养条件包括温度、光照,温度为25℃,光照度为200-400lx,每天光照16小时;步骤三,取消毒后的带芽块茎,无菌条件下,40x解剖镜下分别剥取长度为0.2-0.5mm的茎尖分生组织接种于芽分化培养基,分化培养基采用MS为基本培养基,添加琼脂8g/L,蔗糖30g/L,调整pH值为5.8,121℃高压灭菌20分钟;步骤四,接种后于暗培养7d之后再转入光下进行正常培养,正常培养条件为光照强度为1500-2000lx,光照为12h/d,温度为25±1℃。

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