[发明专利]一种含铪的SiC陶瓷先驱体的制备方法无效
| 申请号： | 200710192460.9 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101318821A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 谢征芳;曹淑伟;王军;王浩;薛金根;牛加新 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/571 | 分类号： | C04B35/571 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410073湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 陶瓷 先驱 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种含铪的SiC陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将软化点为80℃-450℃主链含硅的低分子量聚合物置于三口烧瓶中，并加入相当于低分子量聚合物质量0.5wt％-20wt％的铪金属有机化合物或氯化物；(2)在Ar或N2或它们的混合物保护下，按照0.1℃-5℃/min升温速率，三口烧瓶升至350℃-500℃，裂解柱温度控制在450℃-550℃，进行热分解重排反应，反应时间0.5-30h，冷却后得PHCS粗产品；(3)将该粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在300℃-390℃进行减压蒸馏，冷却后即得橙红色树脂状半透明状PHCS。
2、根据权利要求1所述的含铪的SiC陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于，所述第(1)步加入铪金属有机化合物或氯化物的质量为相当于低分子量聚合物质量的1wt％-15wt％。
3、根据权利要求1或2所述的含铪的SiC陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于，所述低分子量聚合物为液态聚硅碳硅烷、聚二甲基硅烷、聚碳硅烷或聚硅烷。
4、根据权利要求1或2所述的含铪的SiC陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于，所述三口烧瓶升温至390℃-460℃，所述热分解重排反应时间为4-20h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学，未经中国人民解放军国防科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710192460.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铜光管制成铜带的加工设备
- 下一篇：五栖运动魔方旅行箱
