[发明专利]微波辐照制备钛硅化合物及其掺杂材料的方法无效
申请号: | 200710192633.7 | 申请日: | 2007-12-17 |
公开(公告)号: | CN101186300A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 梁逵;杨乐之;王倩 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | C01B33/06 | 分类号: | C01B33/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410082湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 辐照 制备 化合物 及其 掺杂 材料 方法 | ||
1.一种微波辐照制备钛硅化合物及其掺杂材料的方法,其特征在于包括如下制备步骤:选取一定的含钛和硅元素的反应物体系,添加一定量的掺杂原料;搅拌并球磨至粒度为5nm-0.5mm,盛入坩埚内,然后将坩埚置入微波炉中,通入一定量的保护性气体,在微波辐照条件下进行加热反应,再将反应产物进行洗涤,经过滤、烘干即可得到钛硅化合物及其掺杂材料。
2.根据权利要求1所述的微波辐照制备钛硅化合物及其掺杂材料的方法,其特征在于:所述的反应物体系包括但不仅限于钛粉和硅粉的混合物、钛粉和四氯化硅的混合物、二氧化钛和硅粉及镁粉的混和物、二氧化钛和硅粉及钙粉的混和物、二氧化钛和硅粉及锌粉、二氧化钛和硅粉及铝粉的混和物、二氧化钛和硅粉及碳粉的混和物;
3.根据权利要求1所述的微波辐照制备钛硅化合物及其掺杂材料的方法,其特征在于:所述的掺杂原料包括但不仅限于B2O3、H3BO3、Na2B4O7、NH3、(NH2)2CO、CeO2、La2O3中的一种或几种,掺杂原料的量为含钛和硅元素反应物体系质量比的0-10%。
4.根据权利要求1所述的微波辐照制备钛硅化合物及其掺杂材料的方法,其特征在于:反应原料入坩埚前可搅拌并球磨至粒度为5nm-0.5mm,然后压制成型放入坩埚;或者与反应温度下可熔化的盐一起放入坩埚,盐包括但不仅限于无水NaCl、无水KCl、无水MgCl2、无水CaCl2中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的微波辐照制备钛硅化合物及其掺杂材料的方法,其特征在于:微波炉中通入一定量的保护性气体,保护性气体包括但不仅限于氮气、氩气、氢气、氦气中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的微波辐照制备钛硅化合物及其掺杂材料的方法,其特征在于:微波辐照反应物温度为100℃~1500℃,并在该温度下保温0.1~10小时。
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