[发明专利]信息存储介质及再现设备有效
申请号: | 200710192710.9 | 申请日: | 2004-06-11 |
公开(公告)号: | CN101399053A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 李坰根;高祯完 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11B7/007 | 分类号: | G11B7/007;G11B7/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;韩素云 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 存储 介质 再现 设备 | ||
1.一种再现方法,包括:
通过读取器,从信息存储介质读取数据,所述信息存储介质包括多个信息存储层,每个信息存储层具有最佳功率控制区以及布置在最佳功率控制区的一侧的缓冲区和保留区中的至少一个;
通过控制器,控制读取器读取数据,
其中,相邻的信息存储层中的最佳功率控制区被布置在所述信息存储介质的不同半径之内,从而布置在所述信息存储层之一中的保留区与布置在相邻的信息存储层中的最佳功率控制区对齐并面对所述布置在相邻的信息存储层中的最佳功率控制区。
2.一种再现方法,包括:
通过光学拾取器,从存储介质的存储层读取数据;
通过控制器,控制光学拾取器读取存储介质上的再现速度信息,并控制光学拾取器以一定的再现速度从存储介质的存储层再现数据,
其中,每个存储层包括用于获得光记录条件的最佳功率控制区以及布置在最佳功率控制区的一侧的保留区和缓冲区之一,
其中,相邻的存储层中的最佳功率控制区被布置在所述存储介质的不同半径之内,从而布置在所述存储层之一中的缓冲区和保留区之一面对布置在相邻的存储层中的最佳功率控制区。
3.如权利要求2所述的方法,其中,每个存储层还包括布置在每个最佳功率控制区的相对的一侧的另外的缓冲区。
4.如权利要求3所述的方法,其中,保留区被布置为与布置在所述存储层之一中的最佳功率控制区的一侧的缓冲区之一相邻,从而面对相邻的存储层中的最佳功率控制区。
5.如权利要求2所述的方法,其中,每个存储层还包括多个数据记录区和插入相邻的数据记录区之间的另外的缓冲区。
6.如权利要求2所述的方法,其中,每个存储层还包括缺陷管理区、用户数据区以及布置在缺陷管理区和用户数据区之间的另外的缓冲区。
7.如权利要求3所述的方法,其中,每个缓冲区在存储介质的径向上的长度在5至100μm的范围内。
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