[发明专利]用于减少沉浸式光刻装置机械磨损的集成电路制造无效

专利信息
申请号: 200710192730.6 申请日: 2007-11-16
公开(公告)号: CN101196694A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: K·S·帕特尔;D·A·科利斯 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 减少 沉浸 光刻 装置 机械 磨损 集成电路 制造
【权利要求书】:

1.一种沉浸式光刻中使用的制造物件,该制造物件包括:

第一部件,包括第一部件体和保护性涂层,该保护性涂层包括所述第一部件体的至少一部分上的至少一层,其中所述第一部件配置在沉浸式光刻工具中,使得所述第一部件体的所述部分可以在所述沉浸式光刻工具操作期间接触浸液,并且其中所述保护性涂层的硬度大于石英的硬度。

2.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述至少一层包括从由以下材料组成的组中选择的材料:碳化硅、金刚石、类金刚石、氮化硼、碳化硼,碳化钨、氧化铝、蓝宝石、氮化钛,碳氮化钛、氮化铝钛和碳化钛。

3.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层包括五层或更少层。

4.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层包括多个包括不同材料的层。

5.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层具有小于大约150微米的厚度。

6.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层对于所述浸液是基本上惰性的。

7.根据权利要求3所述的制造物件,其中至少一个所述层由从以下方法组成的组中选择的方法来形成:CVD、PECVD、APCVD、LPCVD、LECVD、PVD、薄膜蒸发、溅射以及在有气体的情况下加温退火。

8.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述第一部件配置在所述沉浸式光刻工具中,使得所述第一部件体的所述部分可以接触第二部件体的一部分,其中所述第二体的所述部分包括第二保护性涂层,所述第二保护性涂层包括与所述保护性涂层相同的材料。

9.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述第一部件从由以下部件组成的组中选择:封盘、喷头、封盘托和光学部件。

10.根据权利要求1所述的制造物件,其中使用原子力显微镜测量时,所述保护性涂层具有小于50nm的表面粗糙度。

11.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层具有大于大约100GPa的杨氏模量。

12.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层具有大于大约1000的努氏硬度。

13.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层具有大于7的莫氏硬度。

14.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层具有范围0到0.4的干摩擦系数。

15.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层具有与所述第一部件体的线性膨胀系数基本相似的线性膨胀系数。

16.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层对于所述沉浸式光刻工具中使用的辐射是光学透明的。

17.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述第一部件是光学部件,并且所述保护性涂层应用于不在所述光学部件的光路中的所述光学部件的部分。

18.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述第一部件包括选择自由石英和玻璃陶瓷组成的组中的材料。

19.根据权利要求18所述的制造物件,其中所述保护性涂层包括类金刚石膜。

20.根据权利要求1所述的制造物件,其中所述保护性涂层对于浸液是非浸湿的。

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