[发明专利]栅极二极管非易失性存储器工艺

权利要求书

1.一种制造非易失性存储元件于集成电路中的方法，该元件包含二极管，其具有第一二极管节点与第二二极管节点，包含：

形成该集成电路中的第一电荷类型的第一层于该集成电路中第二电荷类型的第二层之上，其中该第一电荷类型与该第二电荷类型相反；

除去该第一层与该第二层的一部分，以在该第一层中形成第一二极管节点及在该第二层中形成第二二极管节点，该第一电荷类型的该第一二极管节点相对于该第二电荷类型的第二二极管节点，该第一二极管节点与该第二二极管节点，由结所分隔；

形成该集成电路中的隔离介质区以隔离该第二二极管节点的至少一部分与相邻元件，如此该隔离介质区使得该结未被覆盖；

形成电荷储存结构与一个或多个储存介质结构于该集成电路中，该电荷储存结构与一个或多个储存介质结构覆盖至少该结以及邻接于该结的该第一二极管节点与该第二二极管节点的一部分，因此该一个或多个储存介质结构至少部分位于该电荷储存结构与该第一及第二二极管节点之间，且至少部分位于该电荷储存结构与该元件的栅极电压源之间；以及

形成供给该元件的该栅极电压源的该栅极。

2.如权利要求1所述的方法，其中该电荷储存结构具有在反向偏压时，由流经该第一二极管节点与该第二二极管节点之间的电流测量，所决定的电荷储存状态。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成该隔离介质区包含：

利用该隔离介质区覆盖至少该结；以及

除去覆盖至少该结的该隔离介质区。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第一二极管节点是掺杂多晶硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第二二极管节点是该集成电路中的阱区。

6.如权利要求1所述的方法，其中该第二二极管节点是该集成电路中的基板。

7.如权利要求1所述的方法，其中该第一二极管节点是存取该元件的位线。

8.如权利要求1所述的方法，其中由该第一二极管节点与该第二二极管节点所构成的该二极管是肖基特二极管。

9.如权利要求1所述的方法，其中由该第一二极管节点与该第二二极管节点所构成的该二极管是pn二极管。

10.如权利要求1所述的之方法，其中该结是同质结。

11.如权利要求1所述的方法，其中该结是异质结。

12.如权利要求1所述的方法，其中该结是梯度异质结。

13.如权利要求1所述的方法，其中该结包含扩散障碍结。

14.如权利要求1所述的方法，其中该电荷储存结构包含电荷捕捉材料。

15.如权利要求1所述的方法，其中该电荷储存结构包含浮动栅极材料。

16.如权利要求1所述的方法，其中该电荷储存结构包含纳米晶体材料。

17.如权利要求1所述的方法，其中该第一二极管节点与该第二二极管节点至少为单晶、多晶、或非晶之一。

18.一种非易失性存储元件于集成电路中，该元件包含二极管，其具有第一节点与第二节点，该元件利用包含下列步骤的工艺所形成：

形成该集成电路中的第一电荷类型的第一层于该集成电路中的第二电荷类型的第二层之上，其中该第一电荷类型与该第二电荷类型相反；

除去该第一层与该第二层的一部分，以在该第一层中形成第一二极管节点及在该第二层中形成第二二极管节点，该第一电荷类型的该第一二极管节点相对于该第二电荷类型的第二二极管节点，该第一节点与该第二节点，由结所分隔；

形成该集成电路中的隔离介质区以隔离该第二二极管节点的至少一部分与相邻元件，如此该隔离介质区使得该结未被覆盖；

形成电荷储存结构与一个或多个储存介质结构于该集成电路中，该电荷储存结构与一个或多个储存介质结构覆盖至少该结以及邻接于该结的该第一二极管节点与该第二二极管节点的一部分，因此该一个或多个储存介质结构至少部分位于该电荷储存结构与该第一及第二二极管节点之间，且至少部分位于该电荷储存结构与该元件的栅极电压源之间；以及

形成供给该元件的该栅极电压源该栅极。