[发明专利]液晶显示器有效
申请号: | 200710192876.0 | 申请日: | 2007-11-28 |
公开(公告)号: | CN101452166A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 陈柏仰;施博盛;潘轩霖;林俊雄 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;H01L27/12;G09G3/36 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 林锦辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 | ||
1.一种液晶显示器,其中,一个像素单元被区隔成两个子像素,且每一个子像素包含:
薄膜晶体管,配置于基板上;
液晶电容,配置于所述基板上;以及
储存电容,
其中,至少一个所述储存电容采用可变电容,所述可变电容依序由第一导电层、绝缘层、面积为Ascm的半导体层与第二导电层堆迭于所述基板上而形成,且所述可变电容耦接于所述薄膜晶体管;
其中,所述第二导电层具有面积为Acon的第一区域,所述第一区域与所述半导体层重迭,且Acon<Asem。
2.如权利要求1所述的液晶显示器,其中:
所述半导体层的面积Asem小于所述第一导电层的面积;
所述绝缘层的介电常数为εins、厚度为dins;
所述半导体层的介电常数为εsem、厚度为dsem;以及
所述电容的电容值为C,且
3.如权利要求1所述的液晶显示器,还包含高掺杂半导体层,配置于所述第二导电层与所述半导体层之间,其中,所述第二导电层与所述高掺杂半导体层重合。
4.如权利要求1所述的液晶显示器,其中,所述第二导电层具有第一边缘,所述半导体层具有第二边缘,所述第一边缘相邻于所述第二边缘,且所述第一边缘与所述第二边缘相距第一距离d1,且d1≤10μm。
5.如权利要求1所述的液晶显示器,其中,所述第二导电层具有第一部分与第二部分,所述第一部分与所述第二部分相距第二距离d2,且d2≤20μm。
6.如权利要求5所述的液晶显示器,其中,所述第一部分与所述第二部分电性连接。
7.一种如权利要求1所述的液晶显示器的操作方法,包含:
施加第一电压于所述第一导电层上;
施加第二电压于所述第二导电层上;以及
根据所述第一电压、所述第二电压与临界电压的关系,决定所述电容的电容值。
8.如权利要求7所述的液晶显示器的操作方法,其中:
所述绝缘层的介电常数为εins、厚度为dins;以及
所述半导体层的介电常数为εsem、厚度为dsem。
9.如权利要求8所述的液晶显示器的操作方法,还包含:
调整所述第一电压与所述第二电压,使得所述第一电压大于所述第二电压与所述临界电压之和;以及
提高所述第二导电层与所述半导体层的导通状态,
其中,所述电容的电容值为Con,且
10.如权利要求8所述的液晶显示器的操作方法,还包含:
调整所述第一电压与所述第二电压,使得所述第一电压小于所述第二电压与所述临界电压之和;以及
降低所述第二导电层与所述半导体层的导通状态,其中,所述电容的电容值为Coff,且
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