[发明专利]半导体处理用氧化装置和方法

权利要求书

1.一种半导体处理用的氧化装置，其特征在于，包括：

具有以隔开间隔堆积的状态收纳多个被处理基板的处理区域的处理容器；

对所述处理区域进行加热的加热器；

对所述处理区域内进行排气的排气系统；

向所述处理区域供给氧化性气体的氧化性气体供给系统；和

向所述处理区域供给还原性气体的还原性气体供给系统，

所述氧化性气体供给系统包括在与所述处理区域对应的上下方向的长度上延伸的氧化性气体喷嘴，所述氧化性气体喷嘴具有在与所述处理区域对应的上下方向的整个长度上存在的多个气体喷射孔，

所述还原性气体供给系统包括与沿所述处理区域的上下排列的多个区段对应而具有不同高度的多个还原性气体喷嘴，各还原性气体喷嘴具有存在于对应的区段的高度的气体喷射孔。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述氧化性气体喷嘴的所述气体喷射孔实质上等间隔配置。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述各还原性气体喷嘴的所述气体喷射孔包括存在于对应的区段内的多个气体喷射孔。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述多个还原性气体喷嘴能够分别控制还原性气体的流量。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述氧化性气体喷嘴包括从上下方向的一端侧向另一端侧延伸的第一部分和从所述另一端侧向一端侧延伸的第二部分，所述第一和第二部分由折回部连接。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，

所述第一部分的所述一端侧与所述氧化性气体的供给源连接，所述第二部分的所述一端侧被封闭。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，

所述第一部分具有以规定间隔形成的多个第一气体喷射孔，所述第二部分具有以位于所述第一气体喷射空的中央的方式形成的多个第二气体喷射孔。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，

所述第一和第二气体喷射孔朝向互相相反的方向。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，

所述第一气体喷射孔具有彼此相同的开口面积，所述第二气体喷射孔具有彼此相同的开口面积。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述各气体喷射孔的气体喷射方向设定为所述被处理基板的轮廓的切线方向或比其更向外侧。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，

所述各气体喷射孔的气体喷射方向相对于连接对应的气体喷嘴的中心和所述被处理基板的中心的线成90°以上的角度。

12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述氧化性气体包括选自O₂、N₂O、NO、NO₂和O₃中的1种以上的气体，所述还原性气体包括选自H₂、NH₃、CH₄、HCl和重氢中的1种以上的气体。

13.一种半导体处理用的氧化方法，其特征在于，包括：

在处理容器的处理区域内以隔开间隔堆积的状态收纳多个被处理基板的工序；

一边对所述处理区域进行加热，一边向所述处理区域分别供给氧化性气体和还原性气体的工序；

使所述氧化性气体和所述还原性气体反应，在所述处理区域内产生氧活性种和羟基活性种的工序；和

使用所述氧活性种和所述羟基活性种对所述被处理基板的表面进行氧化处理的工序，

从在与所述处理区域对应的上下方向的长度上延伸的氧化性气体喷嘴供给所述氧化性气体，所述氧化性气体喷嘴具有在与所述处理区域对应的上下方向的整个长度上存在的多个气体喷射孔，

从与沿所述处理区域的上下排列的多个区段对应而具有不同高度的多个还原性气体喷嘴供给所述还原性气体，各还原性气体喷嘴具有存在于对应的区段的高度的气体喷射孔。