[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 200710193300.6 | 申请日： | 2007-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101281931A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 小山英寿;加茂宣卓;志贺俊彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
1.一种晶体管，其特征在于，
具有：氮化物半导体层；栅电极层，在所述氮化物半导体层上层叠氮化钽而成，与该氮化物半导体层形成肖特基结；绝缘膜，以包围所述栅电极层的方式设置在所述氮化物半导体层上，
所述栅电极层的不与该氮化物半导体层接触的部位的氮化率比与所述氮化物半导体层接触的部位低。
2.如权利要求1的晶体管，其特征在于，
所述栅电极层是层叠第一、第二栅电极层而成的，
所述第一栅电极层是层叠在所述氮化物半导体层上并与该氮化物半导体层形成肖特基结的层，
所述第二栅电极层是在该第一电极层上层叠氮化率比所述第一电极层低的氮化钽而成的层，
所述绝缘膜与所述第二栅电极层接触地设置，与该第二栅电极层一起覆盖该第一栅电极层。
3.如权利要求2的晶体管，其特征在于，
所述第二栅电极层是由氮化率实质上为零的钽形成的层。
4.如权利要求2或3的晶体管，其特征在于，
所述第二栅电极层是以越是位于从所述第一栅电极层离开的位置的层氮化率越低的方式层叠氮化率不同的多个氮化钽层而成的。
5.如权利要求2或3的晶体管，其特征在于，
所述绝缘膜形成得比所述第一栅电极层厚。
6.如权利要求2或3的晶体管，其特征在于，
在所述第一栅电极层的氮化率中，N/Ta比例为N/Ta＝1.3以上，在所述第二栅电极层的氮化率中，N/Ta比例为小于N/Ta＝1.3。
7.如权利要求1或2的晶体管，其特征在于，
在所述栅电极层上进一步层叠电阻率比该栅电极层低的层。
8.如权利要求4的晶体管，其特征在于，
所述绝缘膜形成得比所述第一栅电极层厚。
9.如权利要求4的晶体管，其特征在于，
在所述第一栅电极层的氮化率中，N/Ta比例为N/Ta＝1.3以上，在所述第二栅电极层的氮化率中，N/Ta比例为小于N/Ta＝1.3。
10.如权利要求8的晶体管，其特征在于，
在所述第一栅电极层的氮化率中，N/Ta比例为N/Ta＝1.3以上，在所述第二栅电极层的氮化率中，N/Ta比例为小于N/Ta＝1.3。
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