[发明专利]单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池

权利要求书

1.一种单结晶硅太阳能电池的制造方法，是用以制造出其光反射膜、作为光变换层的单结晶硅层、和透明绝缘性基板被沉积在一起，并以上述透明绝缘性基板侧作为受光面的单结晶硅太阳能电池的方法，其特征为至少包含：

准备透明绝缘性基板与第一导电型的单结晶硅基板的工艺；

将氢离子或稀有气体离子的至少其中一种，注入上述单结晶硅基板，来形成离子注入层的工艺；

对上述单结晶硅基板的离子注入面与上述透明绝缘性基板的至少其中一方的表面之中的至少一方，进行表面活性化处理的工艺；

以上述进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合上述单结晶硅基板的离子注入面与上述透明绝缘性基板的工艺；

对上述离子注入层施予冲击，机械性剥离上述单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；

在上述单结晶硅层的上述剥离面侧，形成多个与上述第一导电型相异的导电型也就是第二导电型的扩散区域，至少在面方向形成多个pn结，并作成在上述单结晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；

在上述单结晶硅层的上述多个第一导电型区域上分别形成多个第一个别电极，而在上述多个第二导电型区域上分别形成多个第二个别电极的工艺；

形成用以连接上述多个第一个别电极的第一集电电极与用以连接上述多个第二个别电极的第二集电电极的工艺；以及

形成用以覆盖上述多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的光反射膜的工艺。

2.如权利要求1所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法，其中上述表面活性化处理是设为等离子体处理或臭氧处理的至少其中一种。

3.如权利要求1所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法，其中上述透明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的任一种。

4.如权利要求2所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法，其中上述透明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的任一种。

5.如权利要求1所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法，其中将上述透明绝缘性基板作成在其内部或与上述单结晶硅基板贴合面的相反侧的面具有光散射性。

6.如权利要求2所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法，其中将上述透明绝缘性基板作成在其内部或与上述单结晶硅基板贴合面的相反侧的面具有光散射性。

7.如权利要求3所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法，其中将上述透明绝缘性基板作成在其内部或与上述单结晶硅基板贴合面的相反侧的面具有光散射性。

8.如权利要求4所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法，其中将上述透明绝缘性基板作成在其内部或与上述单结晶硅基板贴合面的相反侧的面具有光散射性。

9.如权利要求1～8中任一顶所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法，其中上述离子注入的深度设成从离子注入面算起2μm以上、50μm以下。

10.一种单结晶硅太阳能电池，是依权利要求1～8中任一顶所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法制造而成。

11.一种单结晶硅太阳能电池，是依权利要求9所述的单结晶硅太阳能电池的制造方法制造而成。

12.一种单结晶硅太阳能电池，其特征为：

是至少沉积光反射膜、单结晶硅层和透明绝缘性基板；上述单结晶硅层，在上述光反射膜侧的面形成多个第一导电型区域和多个第二导电型区域，至少在面方向形成多个pn结；在上述单结晶硅层的上述多个第一导电型区域上分别形成多个第一个别电极；在上述多个第二导电型区域上分别形成多个第二个别电极；并形成有用以连接上述多个第一个别电极的第一集电电极以及用以连接上述多个第二个别电极的第二集电电极。

13.如权利要求12所述的单结晶硅太阳能电池，其中上述透明绝缘性基板为石英玻璃、结晶化玻璃、硼硅酸玻璃、以及碱石灰玻璃中的任一种。

14.如权利要求12所述的单结晶硅太阳能电池，其中上述透明绝缘性基板是在其内部或在其上述单结晶硅基板侧的相反侧的面具有光散射性。

15.如权利要求13所述的单结晶硅太阳能电池，其中上述透明绝缘性基板是在其内部或在其上述单结晶硅基板侧的相反侧的面具有光散射性。

16.如权利要求12～15中任一顶所述的单结晶硅太阳能电池，其中上述单结晶硅层的膜厚为2μm以上、50μm以下。