[发明专利]图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，包括以下步骤：

在包含金属线的半导体衬底上形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成焊盘；

在包含所述层间绝缘层和所述焊盘的所述半导体衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成钝化层；

在所述钝化层上形成滤色片层；

在所述滤色片层上形成平面化层；

在所述平面化层上形成微透镜；

在所述微透镜上形成光致抗蚀剂层图案，暴露出所述钝化层位于所述焊盘上方的部分；

使用所述光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模，暴露出所述焊盘；以及

除去所述光致抗蚀剂层图案。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在所述微透镜上形成所述光致抗蚀剂层图案的步骤之前，在所述微透镜上形成柔性光致抗蚀剂层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在除去所述光致抗蚀剂层图案时，除去所述柔性光致抗蚀剂层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述柔性光致抗蚀剂层包括柔性抗蚀剂。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述柔性光致抗蚀剂层包括SLIM。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包括正硅酸乙酯。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层的厚度在大约50到大约200之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包括热塑性树脂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化层的步骤包括以下步骤：

在所述绝缘层上施加有机层；以及

在所述有机层上执行硬固化工艺。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述有机层的厚度最多大约50nm。

11.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化层的步骤包括在所述绝缘层上沉积氮化硅层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述平面化层的厚度为大约1000到大约6000。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述微透镜时，除去所述钝化层通过所述平面化层暴露的部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述微透镜的步骤包括以下步骤：

将光致抗蚀剂施加到所述平面化层；

使用微透镜掩模将所述光致抗蚀剂图案化，以形成微透镜图案；以及

执行热处理以将所述微透镜图案回流，以形成所述微透镜。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述热处理是在至少大约150℃的温度执行的。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述热处理是在大约300℃到大约700℃的温度执行的。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述滤色片层是在所述半导体衬底的像素区上方的所述钝化层上形成的。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述焊盘包含金属材料。