[发明专利]LICoO2的沉积

权利要求书

1.一种沉积LiCoO₂层的方法，所述方法包括：

将衬底置于反应器中；

至少使惰性气体流动通过所述反应器；

将脉冲调制的DC功率施加到包含LiCoO₂的溅射靶上；

将所述靶安置成与所述衬底相对；

在所述衬底上形成LiCoO₂层；和

向所述衬底和LiCoO₂层应用快速热退火。

2.权利要求1所述的方法，其中所述快速热退火以足够低的温度以及足够短的时间进行，从而提供用于低温衬底材料而不使其熔融的足够低的热预算。

3.权利要求1所述的方法，其中所述衬底至少部分包含选自硅、聚合物、玻璃、陶瓷、不锈钢和金属组成的组中的材料。

4.权利要求1所述的方法，其中所述快速热退火处理还包括将所述LiCoO₂层退火至小于约700℃的温度，时间少于约10分钟。

5.权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底上沉积铂层。

6.权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底上沉积导电层。

7.权利要求1所述的方法，还包括将RF偏压施加到所述衬底上，同时将脉冲调制的DC功率施加到所述溅射靶上。

8.权利要求1所述的方法，其中所述LiCoO₂层至少部分包含晶体结构。

9.权利要求1所述的方法，其中所述LiCoO₂层至少部分包含晶体结构和在(101)平面上的优选晶体取向。

10.权利要求1所述的方法，其中所述LiCoO₂层至少部分包含晶体结构和在(003)平面上的优选晶体取向。

11.权利要求1所述的方法，其中所述LiCoO₂层包含在约和约之间的晶粒尺寸。

12.权利要求1所述的方法，还包括在沉积所述LiCoO₂层之前，将所述衬底预热至高达约200℃的温度。

13.权利要求1所述的方法，还包括在沉积所述LiCoO₂层之前，将所述衬底预热；所述LiCoO₂的沉积在不使用活性衬底加热的情况下发生。

14.权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底上沉积氧化物层。

15.权利要求14所述的方法，其中所述氧化物层包含二氧化硅层。

16.权利要求1所述的方法，还包括以大于约1μm/小时的速率沉积所述LiCoO₂层。

17.权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶包括在跨过其约4cm的表面测量的电阻小于约500kΩ的陶瓷LiCoO₂溅射靶。

18.一种沉积锂金属氧化物层的方法，所述方法包括：

将衬底置于反应器中；

至少使惰性气体流动通过所述反应器；

将脉冲调制的DC功率施加到包含锂金属氧化物的溅射靶上；

将所述靶安置成与所述衬底相对；

在所述衬底上形成所述锂金属氧化物层；和

向所述衬底和锂金属氧化物层应用快速热退火。

19.权利要求18所述的方法，其中所述快速热退火以足够低的温度以及足够短的时间进行，从而提供用于低温衬底材料而不使其熔融的足够低的热预算。

20.权利要求18所述的方法，其中所述衬底至少部分包含选自硅、聚合物、玻璃、陶瓷、不锈钢和金属组成的组中的材料。

21.权利要求18所述的方法，其中所述快速热退火处理还包括将所述锂金属氧化物层退火至小于约700℃的温度，时间少于约10分钟。

22.权利要求18所述的方法，还包括在所述衬底上沉积铂层。

23.权利要求18所述的方法，还包括在所述衬底上沉积导电层。