[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 200710194161.9 | 申请日: | 2007-12-06 |
公开(公告)号: | CN101197390A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 李炳德;李钟赫;赵尹衡;吴敏镐;李昭玲;李善英;金元钟;金容铎;崔镇白 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李家麟 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 | ||
1.一种有机发光显示设备,其特征在于,包括:
基板;
配置在所述基板上用于显示图像的有机发光装置;
形成在所述有机发光装置上的密封部件;
形成于面向外面的所述密封部件的上表面上的半透明薄膜,用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光;
形成在所述半透明薄膜上的钝化薄膜,用于通过覆盖所述半透明薄膜来保护所述半透明薄膜;以及
形成于所述密封部件与所述有机发光装置之间的用于增加对比度的透射黑层,
其中,所述半透明薄膜的折射率大于所述钝化薄膜的折射率。
2.一种有机发光显示设备,其特征在于,包括:
基板;
配置在所述基板上用于显示图像的有机发光装置;
形成在所述所述有机发光装置上的密封部件;
形成于面向外面的所述密封部件的上表面上的半透明薄膜,用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光;
形成在所述半透明薄膜上的钝化薄膜,用于通过覆盖所述半透明薄膜来保护所述半透明薄膜;以及
形成在与所述有机放光装置的非显示区域对应的区域中的黑矩阵层;以及
形成于所述密封部件与所述有机发光装置之间用于增加对比度的透射黑层,其中,所述半透明薄膜的折射率大于所述钝化薄膜的折射率。
3.一种有机发光显示设备,其特征在于,包括:
基板;
形成在所述基板上的有机发光装置,包含:第1电极、第2电极以及形成在所述第1电极与所述第2电极之间的有机发光层;
形成在所述第1电极上绝缘薄膜,包含一个使所述第1电极露出的开口;
密封所述有机发光装置的密封部件;
形成于面向外面的所述密封部件的上表面上的半透明薄膜,用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光;
形成在所述半透明薄膜上的钝化薄膜,用以通过覆盖所述半透明薄膜来保护所述半透明薄膜;以及
形成于所述密封部件与有机发光装置之间用于增加对比度的透射黑层,
其中,所述有机发光层和第2电极被相继地形成在通过绝缘薄膜限定的开口而露出的所述第1电极上,
所述半透明薄膜的折射率大于所述钝化薄膜的折射率,而且
所述绝缘薄膜为深黑色。
4.一种有机发光显示设备,其特征在于,包括:
基板;
形成在所述基板上的有机发光装置,包含:第1电极、第2电极以及形成在所述第1电极与第2电极之间的有机发光层;
形成在所述第1电极上的绝缘薄膜,包含一个使所述第1电极露出的开口;
密封所述有机发光装置的密封部件;
形成于面向外面的所述密封部件的上表面上的半透明薄膜用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光;
形成在所述半透明薄膜上的钝化薄膜,用以通过覆盖所述半透明薄膜来保护所述半透明薄膜;以及
形成在与所述有机放光装置的非显示区域对应的区域中的黑矩阵层;
形成于所述密封部件与有机发光装置之间用于增加对比度的透射黑层,
其中,所述有机发光层和第2电极被相继地形成在通过所述绝缘薄膜限定的开口而露出的所述第1电极上,
所述半透明薄膜的折射率大于所述钝化薄膜的折射率,而且
所述绝缘薄膜为深黑色。
5.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备,其特征在于,所述透射黑层由石墨或金刚石之类的碳质(DLC)来构成。
6.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备,其特征在于,所述钝化薄膜由热固性树脂构成。
7.如权利要求6所述的有机发光显示设备,其特征在于,所述钝化薄膜由聚氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)或环氧树脂构成。
8.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备,其特征在于,所述半透明薄膜的光学透射率为40%至80%。
9.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备,其特征在于,所述半透明薄膜的折射率为1.5至5.0。
10.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备,其特征在于,所述半透明薄膜由金属胶体构成。
11.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备,其特征在于,所述半透明薄膜包含银、金或钛。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的