[发明专利]临场修补等离子体损害基底的方法与晶体管元件的制造方法有效
| 申请号： | 200710194220.2 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101308767A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 苏心芳;蔡世昌;李俊鸿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 临场 修补 等离子体 损害 基底 方法 晶体管 元件 制造 | ||
1.一种临场修补等离子体损害基底的方法，其中，该基底上已形成一构件，且形成该构件的步骤包括一含等离子体的主蚀刻制程，该方法包括：
在进行该主蚀刻制程的机台进行一软式等离子体蚀刻制程，以移除部份该基底，其中该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为低于30％的该含等离子体的主蚀刻制程的电力且所使用的气体包括氟化物、氧气与惰性气体。
2.如权利要求1所述的临场修补等离子体损害基底的方法，其特征在于，该构件的材质包括二氧化硅或氮化硅；且该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为50至150W。
3.如权利要求1所述的临场修补等离子体损害基底的方法，其特征在于，该主蚀刻制程是用以形成栅极结构且该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为0至50W。
4.如权利要求1所述的临场修补等离子体损害基底的方法，其特征在于，该氟化物包括氟烃化物。
5.如权利要求1所述的临场修补等离子体损害基底的方法，其特征在于，该惰性气体包括氩气。
6.一种晶体管元件的制造方法，包括：
提供一基底；
于该基底上形成一栅极结构；
经由一沉积与一含等离子体的主蚀刻制程于该栅极结构的侧壁形成一对含二氧化硅或氮化硅的间隙壁；
在进行该蚀刻制程的机台进行一软式等离子体蚀刻制程，以移除部份该基底，该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为低于30％的该主蚀刻制程的电力且所使用的气体包括氟化物、氧气与惰性气体；以及
在进行所述软式等离子体蚀刻制程之后，于该基底上形成一源极/漏极区。
7.如权利要求6所述的晶体管元件的制造方法，其特征在于，该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为50至150W。
8.如权利要求6所述的晶体管元件的制造方法，其特征在于，该氟化物包括氟烃化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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