[发明专利]闪烁体组合物及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710194499.4 申请日: 2007-12-04
公开(公告)号: CN101200639A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: A·M·斯里瓦斯塔瓦;S·J·杜克洛斯;H·A·科曼佐;S·P·M·洛雷罗 申请(专利权)人: 通用电气家园保护有限公司
主分类号: C09K11/85 分类号: C09K11/85
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吕彩霞;韦欣华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 闪烁 组合 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种组合物,该组合物包含:

含有式(IV)的闪烁体组合物的固溶体:

A2Ln(1-x-y)CexPryX5                 (IV)

其中,A包括铊或IA族元素的离子,Ln包括镧系稀土元素和铋的离子,X包括卤素,Ce代表铈,Pr代表镨,且x的数值可为0-1,而y的数值可为0-1,但x和y两者不同时等于0或1;或者

含有式(V)的闪烁体组合物的固溶体:

C2DLn(1-x-y)CexPryX6                (V)

其中,C包括铊、IA族元素的离子或者含有至少一种前述离子的组合,D包括铊、IA族元素的离子或者含有至少一种前述离子的组合,Ln包括镧系稀土元素和铋的离子,X包括卤素,Ce代表铈,Pr代表镨,且x的数值可为0-1,而y的数值可为0-1,但x和y两者不同时等于0或1;或者

含有式(VI)的闪烁体组合物的固溶体:

ELn(1-x-y)CexPryFX5                      (VI)

其中,E包括铯、铷、铊的离子或者含有至少一种前述离子的组合,Ln包括镧系稀土元素和铋的离子,X包括卤素,F包括铊、IA族元素的离子或者含有至少一种前述离子的组合,Ce代表铈,Pr代表镨,且x的数值可为0-1,而y的数值可为0-1,但x和y两者不同时等于0或1。

2.权利要求1所述的组合物,其中A包括钾、铷、铯、铊的A离子或含有至少一种前述离子的组合和/或其中在式(IV)、(V)或(VI)中,Ln包括钇、钪、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥,和铋的离子或者含有至少一种前述离子的组合和/或其中在式(IV)、(V)或(VI)中,X为氟、氯、溴、碘或者含有至少一种前述卤素的组合和/或其中C包括钾、铷、铯、铊的离子或者含有至少一种前述离子的组合和/或其中D包括锂、钠的离子或者含有至少一种前述离子的组合和/或其中E包括铯、铷、铊的离子或者含有至少一种前述离子的组合和/或其中F包括铊、IA族元素的离子或者含有至少一种前述离子的组合。

3.权利要求1或2的任何一项所述的组合物,其中,所述组合物为单晶形式或者粉末形式或者多晶陶瓷形式。

4.权利要求1或2的任何一项所述的组合物,其中,x的数量为约0.01-约0.99或者其中y的数量为约0.01-约0.99。

5.一种制品,该制品包含权利要求1所述的组合物。

6.一种组合物,该组合物包含以下物质的反应产物:

卤化铈和/或卤化镨与具有式(I)的前闪烁体组合物

A2LnX5                (I)

其中A包括铊、IA族元素的离子或者含有至少一种前述离子的组合,Ln包括镧系稀土元素和铋的离子,X包括卤素;或者

卤化铈和/或卤化镨与含有具有式(II)的钾冰晶石化合物的前闪烁体组合物

C2DLnX6                     (II)

其中C包括铊、IA族元素的离子或者含有至少一种前述离子的组合,D包括铊、IA族元素的离子或者含有至少一种前述离子的组合;Ln包括镧系稀土元素和铋的离子,X包括卤素;或者

卤化铈和/或卤化镨与具有式(III)的前闪烁体组合物

ELnFX5                     (III)

其中E包括铯、铷、铊的离子或者含有至少一种前述离子的组合,F包括铊、IA族元素的离子或者含有至少一种前述离子的组合,Ln包括镧系稀土元素和铋的离子,X包括卤素。

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